Diodes 30V MOSFET使大容量電容器能夠在現場可編程門陣列電源軌上快速及安全放電

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN3027LFG 30V N通道MOSFET作為開關使用，確保在現場可編程門陣列 (FPGA) 電源軌上使用的大型大容量電容器能夠快速及安全放電。電信設備、服務器和數據中心內的最新現場可編程門陣列具有多個需要正確排序的電源軌，為系統提供安全的開關電源。高可靠性直流-直流電源的設計人員利用這個Diodes的新MOSFET，就可快速及輕易實現該目標。

　　DMN3027LFG在4.5V電壓下提供26mΩ的低導通電阻，足以使15mF的電容器在少於10毫秒的時間內放電。同時該導通電阻又不會低至大幅提高電流峰值，繼而導致電磁干擾或增加瞬態(tài)熱應力，最終有可能使MOSFET或電容器組受損。在現場可編程門陣列低壓電軌達到典型的1V時，電流會被安全工作區(qū)特定的MOSFET通道電阻所限制。該安全工作區(qū)的環(huán)境溫度為+60°C, 以最少的散熱片支持一般應用狀況，從而在少於10毫秒的時間內安全處理高達20A的峰值電流。

　　DMN3027LFG采用PowerDI 3333封裝，具有少於10°C/W的結點至散熱焊盤低熱阻，可耗散高達3W。新產品以一萬個為出貨批量。如欲了解進一步產品信息，請訪問www.diodes.com。