關(guān)于UCC28600的RCD吸收回路的思考
文中給出RCD吸收的工作分析過程,并根據(jù)前文分析,在實際的設(shè)計過程中,列出我們需要注意的地方。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/282720.htm典型的RCD吸收回路如圖:
下圖為RCD吸收的工作分析過程:
t0-t1: 正向?qū)〞r間, 在Vds稍小于Vin+nV0時,二極管正向?qū)?,抑制漏感和Cds的諧振,開始向clamp充電。
t1-t2: 二極管導(dǎo)通,Cds Llk Cclamp 三者開始諧振,同時Rclamp 消耗部份能量。
R太小 在OFF時間 消耗能量過多 Cclamp上電壓在OFF時間結(jié)束前就到達(dá)nV0,此時R作為負(fù)載,消耗能量降低效率
R太大 在OFF時間 消耗能量過少 Cclamp上電壓可能在下一個ON時間未到達(dá)nV0,則吸收效果不好。
C太大 因為在Vds=Vin+nV0開始傳遞能量 導(dǎo)致二極管正向?qū)ǖ絍ds=Vin+nV0的時間過長,變壓器原邊能量不能迅速傳遞到副邊。burst mode階段時,振蕩比較少,能量基本消耗,通過Llk和副邊耦合傳遞能量減少。不利于輕載效率。
C太小 在OFF時間結(jié)束前就可以將能量消耗到nV0,使R作為負(fù)載,不利于輕載效率。
t2-t3:由于二極管的反向恢復(fù),電流向Cds Llk流動,在電流反向的那個點,達(dá)到峰值
t3-t4:二極管的反向電流基本恢復(fù),此時為二極管的反向恢復(fù)損耗。Cds Llk兩者進(jìn)行諧振。
經(jīng)歷第一個諧振周期,大部分能量向Cclamp充電及消耗在電阻R。
根據(jù)以上分析,在實際的設(shè)計過程中,我們需要注意:
1. R、C均偏小,C上電壓在S截止瞬間沖上去,尖峰壓不住。并且因為RC時間常數(shù)小,C上電壓很快放電到小于 nVo,此時RCD箝位電路將成為反激變換器的死負(fù)載,消耗儲存在變壓器中的能量,使效率降低。
2. C如果選的太大,在skip mode階段,增加輕載損耗,極限情況下,過沖小,變壓器原邊能量不能迅速傳遞到副邊。R選的太大,阻尼振蕩激烈,能量消耗小。
3. D選擇快管,反向恢復(fù)時間短,消耗的能量少,部分能量能回饋到副邊,但振蕩次數(shù)多,EMI變差,且正向恢復(fù)電壓大。選擇慢管,反向恢復(fù)消耗大部分能量,降低效率,但EMI變好,且正向恢復(fù)電壓小。
4. RC的選值標(biāo)準(zhǔn):先確定C, U1為在Mos能承受的最高值的情況下,C上的電壓;U2為在next Ton結(jié)束前,保證U2小于nVo值(可設(shè)置比margin略小值)。R要大于在next Ton期間內(nèi),U1降到U2,所需的電阻值。
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