新聞中心

EEPW首頁 > 模擬技術(shù) > 新品快遞 > IR推出針對高效率高性能放大器的D類音頻DirectFET MOSFET

IR推出針對高效率高性能放大器的D類音頻DirectFET MOSFET

作者: 時間:2004-12-13 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  功率管理廠商國際整流器公司(International Rectifier,簡稱)為中等功率的D類音頻放大器推出F6665 DirectFET™ MOSFET。此款設(shè)計旨在改進音頻器件的效率、總諧波失真(THD)、功率密度等性能。D類放大器應用廣泛,從電池驅(qū)動的便攜式產(chǎn)品到高端的專業(yè)級放大器,從樂器到汽車和家庭多媒體系統(tǒng)均能適用。

  在針對應用專門優(yōu)化的硅片上,的DirectFET™封裝技術(shù)通過降低引線電感提高了D類音頻放大器的性能,進而改善開關(guān)性能、降低電磁噪聲。由于效率提升,無需散熱器即可在8歐阻抗上運行100W功率。散熱器的免除減少了電路面積和體積,設(shè)計布局更靈活,放大器成本也更低。

  決定D類音頻性能的重要MOSFET參數(shù)包括器件導通電阻RDS(on)和柵電荷Qg,這兩者決定放大器效率。

  IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富表示:“IR在同步整流和功率MOSFET開關(guān)電路上的專業(yè)技術(shù)適用于D類音頻拓撲。綜合了IR獨特的DirectFET封裝和特殊應用器件參數(shù)后, D類音頻性能封套將具備更高效率,更完善的EMI和更佳功率密度。

 

產(chǎn)品

型號

封裝

BVDSS(V)

RDS(on) typ @10V(mOhm)

ID @ Tc=25ºC(A)

QG typ.(nC)

QSW typ.(nC)

IRF6665

DirectFET™

100

51

19

8

3.5


  IRF6665 D類音頻DirectFET™ MOSFET 現(xiàn)已供貨



關(guān)鍵詞: IR 模擬IC 電源

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉