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飛兆半導(dǎo)體推出最小尺寸的互補(bǔ)對(duì)稱MOSFET器件

作者:電子設(shè)計(jì)應(yīng)用 時(shí)間:2005-01-04 來源:電子設(shè)計(jì)應(yīng)用 收藏

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/4273.htm

半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出最小尺寸的互補(bǔ)對(duì)稱MOSFET解決方案,為微型“點(diǎn)”功率應(yīng)用和負(fù)載點(diǎn) (POL) DC/DC開關(guān)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)提供高于1A的持續(xù)電流。FDC6020C將兩個(gè)MOSFET集成于一個(gè)超小型的SuperSOT™-6 FLMP封裝 (倒裝導(dǎo)模封裝) 中;而傳統(tǒng)的解決方案必須采用兩個(gè)單獨(dú)器件或一個(gè)較大型封裝,才能獲得類似的高性能特性。

FDC6020C具有卓越的熱性能和高效率特性,適用于機(jī)頂盒、數(shù)碼相機(jī)和硬盤驅(qū)動(dòng)器等產(chǎn)品。該器件的低壓門限 (VGS = 2.5 V) 可簡(jiǎn)化采用3.3 V總線轉(zhuǎn)換器或單節(jié)鋰離子電池供電的設(shè)計(jì)。當(dāng)沒有高門驅(qū)動(dòng)電壓時(shí),F(xiàn)DC6020C更可免去充電泵電路的需要,以達(dá)到此目的。此外,該器件的每一個(gè)MOSFET都具有優(yōu)良的RDS(on)特性 (在4.5V時(shí), P溝道為52毫歐,N溝道為27毫歐)。FDC2060C的結(jié)點(diǎn)至外殼熱阻抗 (1



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