NS推出符合QMLV標準的高精度衛(wèi)星通信系統(tǒng)放大器
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LMP2012WGLQMLV 芯片是一款軌到軌輸出運算放大器,其特點是可以利用多種專利技術(shù)測量及不斷校正輸入偏移錯誤電壓,但又不會像傳統(tǒng)放大器一樣產(chǎn)生干擾性的中頻電壓及電流噪聲,因此這款高性能放大器可在較長時間及較廣闊的溫度范圍內(nèi)確保信號高度準確及穩(wěn)定。這款芯片已通過輻射測試,證實可承受 50K rad (Si) 的輻射,而且在整個航天溫度范圍內(nèi),共模抑制比 (CMRR) 及電源抑制比 (PSRR) 都高達 90dB。LMP2012WGLQMLV 芯片可以利用 2.7V 至 5V 的供電電壓操作,而且性能卓越,最適用于換能放大器、高增益配置、模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器緩沖放大器以及采用數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器的電流/電壓轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
LMP2012WGLQML
V 芯片適用于攝氏 -55 度至 125 度的溫度范圍,而且即使在這樣廣闊的溫度范圍內(nèi),輸入偏移電壓也低至只有 60mV,壓擺率則為 4V/us,而增益帶寬更高達 3MHz,因此可將信號準確放大。這款芯片的主要技術(shù)特色還有 35nV/sqrt Hz 的輸入?yún)⒖茧妷涸肼?,以及超過 100dB 的開環(huán)增益。
美國國家半導體的放大器系列
美國國家半導體一直專注于研發(fā)高性能的放大器及比較器,目前已成功推出一系列型號齊全的運算放大器,其中包含基本的芯片以及專用標準產(chǎn)品 (ASSP),以滿足市場上對高精度、高速、低電壓及低功率放大器的需求。該公司多年來一直致力于開發(fā)創(chuàng)新的放大器,這方面的技術(shù)更一直領(lǐng)先同業(yè),加上該公司也擁有先進的 VIP10 雙極及 VIP50 BiCMOS 工藝技術(shù),這幾方面的優(yōu)勢令美國國家半導體將可繼續(xù)在放大器市場上保持其領(lǐng)導地位。此外,美國國家半導體率先推出 Silicon Dust™ 及 micro SMD 這兩種嶄新的封裝技術(shù),為封裝技術(shù)的市場領(lǐng)導者。如欲進一步查詢有關(guān)美國國家半導體放大器產(chǎn)品的資料,可瀏覽 amplifiers.national.com/CHS 網(wǎng)頁。
價格及供貨情況
LMP2012WGLQMLV 芯片采用 10 引腳的陶瓷 SOIC 封裝,目前已有大量現(xiàn)貨供應(yīng)。這款芯片符合航天科技部門有關(guān) MIL-STD-38535 QML 第五級 (Level V) 技術(shù)的嚴格規(guī)定,并以標準軍事繪圖系統(tǒng) (SMD) 5962L0620601VZA 為名稱出售。如欲進一步查詢有關(guān) LMP2012WGLQMLV 的資料,其中包括售價、訂購樣品或評估電路板等方面的資料,可向本地的營業(yè)辦事處或授權(quán)分銷商洽詢。如欲進一步查詢技術(shù)資料或下載數(shù)據(jù)表或輻射報告,可瀏覽 http://www.national.com/pf/LM/LMP2012.html 網(wǎng)頁。
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