多頻GSM/GPRS功率放大控制器
由于GMSK調(diào)制有其固定不變的包絡(luò),因此必須采用C類射頻功率放大器才可提高功率轉(zhuǎn)換效
圖1
正如圖1所示,LMV243芯片內(nèi)含45dB的對數(shù)放大檢波器,可以感測功率放大器的射頻輸出功率電平。此外,這款芯片也設(shè)有誤差放大器,可以將控制環(huán)路(例如伺服控制電路)的最后一段接合起來。
采用 45dB對數(shù)(Log)放大檢波器的優(yōu)點(diǎn)
在一般的應(yīng)用情況下,若功率電平介于0dBm與35dBm之間,GSM/GPRS功率放大器便需要0.1~2.0V的控制電壓(Vapc)。基帶芯片通??梢岳脭?shù)字模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)以提供由100mV~2V的直流脈沖電壓。電壓波幅簡圖(profile)的分辨度以及最低值與最高值之間的差距取決于固件和數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器的性能表現(xiàn)。LMV243的檢測范圍達(dá)45dB,可以檢測由0~-45dBm的射頻功率。GSM頻帶則需要35dB或更高的耦合系數(shù),但只要采用電阻分壓器或微帶線,便可以輕易配置松散耦合的耦合電路。
計(jì)算衰減幅度的方程式
若采用現(xiàn)成的LTCC耦合電路,便需要在LMV243的射頻輸入與LTCC耦合電路輸出之間計(jì)入額外衰減(dB)。額外的衰減可由T或π電路(見圖2)提供,最終選用T還是π電路取決于印刷電路板的布局有何限制,也視乎射頻工程師的個(gè)人喜好。
以下是計(jì)算(電路所需電阻的方程式: 以及 以下是計(jì)算T電路所需電阻的方程式,L是衰減電路的衰減幅度(dB),而且這個(gè)數(shù)值是正數(shù)。
選擇恰當(dāng)?shù)姆答侂娮瑁≧F)、反饋電容(CF)以配合不同功率放大器的性能
選擇了正確的耦合系數(shù)之后(-35dB或以上),便必須選擇可將最后一段控制環(huán)路接合起來的反饋電容(CF)。一般來說,可將反饋電容(CF)定在22~100pF之間,但電容的確實(shí)數(shù)值須視乎個(gè)別功率放大器的性能表現(xiàn)及Vramp的電壓波幅(profile)。有時(shí)只需采用較小的反饋電阻(RF)便可作出電壓補(bǔ)償,以加強(qiáng)伺服環(huán)路的穩(wěn)定性。較小的反饋電容會導(dǎo)致波封出現(xiàn)快速的回應(yīng),以及時(shí)標(biāo)會出現(xiàn)過沖現(xiàn)象,而較大的回饋電容可能會引致延遲。因此我們應(yīng)該選擇最恰當(dāng)?shù)姆答侂娙莺头答侂娮枧浜弦唤MVramp電壓波幅,以符合GSM的技術(shù)規(guī)格。圖3所示的是建議采用的應(yīng)用電路。
LMV243的評價(jià)電路板符合GSM的技術(shù)規(guī)格
美國國家半導(dǎo)體已成功開發(fā)一款LMV243的演示電路板,方便工程師利用只有一條 Vapc管腳的多頻GSM/GPRS功率放大器進(jìn)行產(chǎn)品性能演示。該公司已在演示電路板上測試LMV243芯片的性能表現(xiàn),證實(shí)可控制GSM/GPRS功率放大器。圖4是演示電路板的產(chǎn)品照。圖5顯示LMV243如何在高輸出功率電平通過GSM傳輸時(shí)標(biāo)。
圖4
圖5
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