采用超組合技術，東芝功率MOSFET導通阻抗降低60%

    日本東芝公司(Toshiba)日前宣布，一種被命名為DTMOS的新式功率MOSFET，由于采用最新的超結合技術，DTMOS的導通電阻(RDSon)僅相當于傳統(tǒng)的MOSFET的40%左右，可降低功耗。在采用這項技術的系列產(chǎn)品中第一個產(chǎn)品是0TK15A60S，它的市場定位于電視機電源、家用電器、交流電適配器、照明鎮(zhèn)流器。
    由于擁有垂直通道，超結合技術結構可以允許電流在硅襯底順利流通，降低了導通電阻，突破了硅晶體理論極限。在應用超結合技術結構和優(yōu)化設備的基礎上，在同系列的東芝DTMOS設備，導通狀態(tài)電阻可降低60%的電力消耗，并且與東芝傳統(tǒng)的MOSFET相比，RDSon的閘極電荷(Qg)減少40%。因此，RDSon x Qg(a)最顯著的特征就是其MOSFET性能指標(數(shù)值越低越好)僅是公司傳統(tǒng)的MOSFET的四分之一。
    隨著這項最新技術的宣布，東芝公司把超結合技術結構與公司獨創(chuàng)的深蝕刻技術開發(fā)的MOSFET (DTMOS)結合起來。這兩項技術的結合在市場上還是首次應用。在采用這項技術的系列產(chǎn)品中第一個產(chǎn)品叫做TK15A60S，最高技術性能為：電流15安培、600伏特，電阻0.3歐姆，樣品于2005年3月面世。