IR推出新型高性能2通道120W D類音頻放大器

    IR推出D類音頻功率放大器參考設計IRAUDAMP4。與典型的電路設計相比，新型參考設計可幫助設計人員為適用于家庭影院應用、專業(yè)放大器、樂器和汽車娛樂系統(tǒng)的所有中壓范圍的中高功率放大器節(jié)省50%的PCB占板面積。

　　IR 亞太區(qū)高級銷售副總裁曾海邦表示：“這種參考設計可在60W 、4Ω時提供0.004%的THD+N，顯示出IR先進的硅技術可讓用戶利用D類拓撲結(jié)構獲得最佳的音頻性能。”

　　與IR的200V數(shù)字音頻驅(qū)動IC IRS20955和IRF6645 DirectFET數(shù)字音頻MOSFET配合使用的IRAUDAMP4參考設計，是一種2通道、120W 半橋設計，在120W 、4Ω條件下可實現(xiàn)96%的效率。該設計也結(jié)合了多種關鍵保護功能，包括過流保護、過壓保護、欠壓保護、直流保護、過熱保護等。新設計還提供管理功能，例如用于前置放大器仿真信號處理的+/- 5V電源，用于D類柵極驅(qū)動級的 -B作參考的+12V電源 (Vcc)。這個2通道設計可擴展功率及通道數(shù)目，在正常運行情況下無需使用散熱器。

　　新參考設計基于的IRS20955(S)(TR)PbF音頻驅(qū)動IC設計，具有特別  
為D類音頻放大器應用設計的浮動PWM輸入。其雙向電流檢測可在無需外置分流電阻的情況下，在正及負的負載電流條件下監(jiān)測過流狀況。內(nèi)置的保護控制模塊可提供針對過流條件的安全保護程序和可編程復位定時器。內(nèi)置死區(qū)時間生成模塊則有助于精確的柵極開關，最佳死區(qū)時間設置可提供更佳的音頻性能，例如較低的總諧波失真 (THD) ，以及較低的音頻背景噪聲。

　　配合新參考設計使用的IRF6645功率MOSFET，為IR DirectFET系列的成員。創(chuàng)新的DirectFET封裝技術通過減少引線電感提升了開關性能，并降低了EMI噪聲，從而增強了D類音頻放大器電路的性能。其較高的熱效率有助于實現(xiàn)在4Ω阻抗下的120W 運行，加上無需使用散熱器，所以不僅能縮小電路尺寸，更可在線路布局方面提供更大的靈活性，同時降低整個放大器系統(tǒng)成本。