安森美半導(dǎo)體推出硅技術(shù)的 PNP 與 NPN 器件
——
安森美半導(dǎo)體分立產(chǎn)品部副總裁兼總經(jīng)理 Mamoon Rashid 指出:“安森美半導(dǎo)體提供目前市場上最豐富的高性能 BJT 選擇。我們的 Vce(sat) BJT 是低功率耗損和高散熱性能領(lǐng)域的領(lǐng)先產(chǎn)品,為電源控制提供了非常經(jīng)濟(jì)的解決方案。這種器件非常適用于移動(dòng)電話和汽車等多種開關(guān)應(yīng)用 (strategic switch),為設(shè)計(jì)人員提供高性價(jià)比的解決方案,從而有助于他們推出領(lǐng)先的產(chǎn)品?!?
安森美半導(dǎo)體最新推出的 NSSxxx 低 Vce(sat) 表面貼裝器件專為對(duì)能效控制要求極為嚴(yán)格的低壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)。電流為1 A時(shí),該器件可提供45 mV的超低飽和電壓及300倍的電流增益。這種低 Vce(sat) BJT 還提供超過8 kV的較高的靜電放電 (ESD) 容差,因此能在突發(fā)浪涌情況下自我保護(hù),避免受損。由于實(shí)現(xiàn)了出色的電氣性能及較低的溫度系數(shù),因此這種器件可提高能效,在無需額外 ESD 保護(hù)電路就能實(shí)現(xiàn)更好的電池節(jié)能。相對(duì)于 MOSFET而言,這種器件比較適中的開關(guān)速度降低了噪聲諧波,因此更適于需要控制電磁干擾(EMI)的應(yīng)用。
安森美半導(dǎo)體的低 Vce(sat) BJT 系列產(chǎn)品采用多種業(yè)界領(lǐng)先的封裝,包括SOT-23、SOT-223、SOT-563、WDFN3、WDFN6、ChipFET、SC-88、SC74和TSOP6等。每10,000片的批量單價(jià)為0.14~0.27美元。
如欲了解安森美半導(dǎo)體的全系列低 Vce(sat) BJT 產(chǎn)品詳情,歡迎訪問:www.onsemi.com.cn,請(qǐng)用 NSS 作為關(guān)鍵詞進(jìn)行搜索。您也可下載 Spice 模型、應(yīng)用注釋及設(shè)計(jì)理念等。
如欲了解更多詳情,歡迎垂詢張華艷,其電子郵件為:meggie.zhang@onsemi.com。
評(píng)論