NAND閃存迎來大發(fā)展 新芯片工藝是轉(zhuǎn)折點

據(jù)閃存技術(shù)的最大支持者之一稱，閃存將“接管”整個世界。
　　本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“閃存峰會”上說，一方面，NAND閃存正在打跨競爭對手。NAND已經(jīng)使1英寸硬盤失去了用武之地，現(xiàn)在，它又對1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸筆記本電腦硬盤構(gòu)成了威脅。

　　他說，NAND下一個大市場將是視頻，明年，市場上將會出現(xiàn)配置了更多閃存的相機和拍照手機。明年，市場上還將出現(xiàn)更多的閃存筆記本電腦。

　　在未來的5-7年內(nèi)，NAND還將開始取代DRAM。由于技術(shù)進步非常快，NAND已經(jīng)由2001年的價格遠高于DRAM發(fā)展到了2007年遠低于DRAM。IBM和其它廠商已經(jīng)在開發(fā)依賴NAND的固態(tài)服務(wù)器。

　　但是，NAND也面臨一些困難：要繼續(xù)改進NAND芯片已經(jīng)很困難了。Harari說，NAND的發(fā)展速度肯定會慢下來，存在一些基本的應(yīng)用限制和基本的物理限制。我們還可以再發(fā)展3、4代，甚至是5代技術(shù)，然后，我們就需要全新的技術(shù)了。

　　問題在于這些芯片中的零件不能再被進一步縮小了。隧道氧化層可能被縮小到約80埃。在其它的芯片中，隧道氧化層能被縮小到12埃。

　　數(shù)據(jù)丟失是另一個問題。閃存通過在存儲單元中存儲電流的方式記錄數(shù)據(jù)。Harari說，在0.032微米工藝中，我們不能泄露32個電子。30個電子聽起來很多，但其實是非常小的。

　　轉(zhuǎn)折點可能出現(xiàn)在0.02微米工藝芯片中。采用0.02微米工藝后，NAND芯片將能夠存儲256Gb數(shù)據(jù)，每個數(shù)據(jù)位的成本將只有目前的十分之一，但要利用現(xiàn)有的制造工藝和材料進一步改進NAND芯片則是極其困難的。

　　有哪些可替代性技術(shù)呢？SanDisk將開發(fā)以3D方式排列晶體管的技術(shù)。Harari表示，當土地很昂貴后，我們可以向高空發(fā)展。SanDisk收購了3D內(nèi)存芯片廠商Matrix Semiconductor。但是，Matrix芯片是不可重寫的，解決這一問題將是SanDisk的重中之重。

　　廠商還將在一個單元中存儲多個數(shù)據(jù)位。目前，存儲密度最高的芯片能夠在1個單元內(nèi)存儲2個數(shù)據(jù)位，未來2、3年還將出現(xiàn)每個單元存儲3個數(shù)據(jù)位的芯片，此后還會出現(xiàn)每個單元存儲4個數(shù)據(jù)位的芯片。目前，大多數(shù)廠商還沒有過多地討論每個單元存儲3個數(shù)據(jù)位的芯片。其它公司還在開發(fā)相位改變內(nèi)存等技術(shù)。

　　成本是另外一個重要問題。Harari表示，生產(chǎn)線的建設(shè)成本已經(jīng)高達50億美元，全球生產(chǎn)工廠近50%的生產(chǎn)能力將在未來2年內(nèi)得到更新。NAND芯片廠商為此需要投入大量資金。

　　新生產(chǎn)線將使生產(chǎn)效率最高的廠商每年將價格下調(diào)30%-45%。不幸的是，在過去的二年中，NAND價格每年下滑的幅度高達60%。如果成本每年只能降低40%，價格就無法下調(diào)60%。并購將成為不可避免的一種選擇。