新聞中心

EEPW首頁 > 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 美光12英寸廠 投產(chǎn)NAND型Flash將達(dá)百萬顆

美光12英寸廠 投產(chǎn)NAND型Flash將達(dá)百萬顆

——
作者: 時(shí)間:2005-06-20 來源: 收藏
    6月17日消息,內(nèi)存大廠美光科技(Micron)近來可說是“重Flash、輕DRAM”,就連最新的12英寸晶圓廠中,也是將快閃內(nèi)存(NAND型Flash)列為首要量產(chǎn)項(xiàng)目。據(jù)了解,幾個(gè)月前美光已開始采用12英寸廠投片NAND型Flash,6月起美光12英寸廠將量產(chǎn)近百萬顆的2GbNAND型Flash,而除了NAND型Flash外,美光也同時(shí)加碼另一非內(nèi)存(Non-memory)產(chǎn)品的投片量,影像感測元件(CMOSImageSensor)產(chǎn)品亦將同時(shí)采用12英寸廠量產(chǎn)。

  過去美光大多以8英寸廠量產(chǎn)NAND型Flash,由于8英寸廠設(shè)備大多已折舊攤提完畢,因此生產(chǎn)NAND型Flash成本上較具競爭優(yōu)勢;然而,因8英寸廠設(shè)備大多較為老舊,因此對于美光而言,若要繼續(xù)采用8英寸廠投片標(biāo)準(zhǔn)型DRAM顆粒,反而較無競爭優(yōu)勢,因此8英寸廠最佳投產(chǎn)商品便落在NAND型Flash身上。

  不過,隨著美光推出的NAND型Flash,已不再像過去一樣屬于較低容量的規(guī)格,美光已開始將主力產(chǎn)品推進(jìn)至2Gb規(guī)格,因此必須采用較為先進(jìn)12英寸廠生產(chǎn);再者,其他競爭對手如三星電子(SamsungElectronics)、東芝(Toshiba)及海力士(Hynix),均已開始用12英寸廠投產(chǎn)NAND型Flash,因此對于美光而言,以12英寸廠投產(chǎn)NAND型Flash勢在必行。

  據(jù)熟悉美光內(nèi)部的人士表示,幾個(gè)月前美光已開始以12英寸廠投產(chǎn)NAND型Flash,而依目前美光12英寸廠產(chǎn)能約達(dá)2萬片規(guī)模來計(jì)算,當(dāng)中將有15%左右、約3,000片的產(chǎn)能會(huì)用于投產(chǎn)NAND型Flash,而以每片12英寸晶圓能生產(chǎn)的NAND型Flash顆粒約達(dá)300多顆來計(jì)算,美光6月將產(chǎn)出近百萬顆的NAND型Flash。

    也因?yàn)橐?2英寸廠投產(chǎn)NAND型Flash,采用的是最先進(jìn)的制程技術(shù),因此對于美光而言,也會(huì)將最新的2Gb產(chǎn)品以12英寸廠投片,市場認(rèn)為,一旦這批2GbNAND型Flash開始全面供應(yīng)到市場上,勢必會(huì)對2GbNAND型Flash產(chǎn)品價(jià)格再度形成一定程度的壓力。

  而這樣的結(jié)果,也與日前創(chuàng)見董事長束崇萬認(rèn)為的一樣,在新加入的NAND型Flash供應(yīng)商供給逐漸增加,加上上游產(chǎn)能全數(shù)開出之下,第二季(Q2)NAND型Flash價(jià)格將有一定程度的壓縮,Q3將有跌價(jià)壓力。

  美光日前曾表示,2005年美光的營運(yùn)重點(diǎn),將放在非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM顆粒以外產(chǎn)品,除了NAND型Flash外,CMOSImageSensor也會(huì)是重要的營運(yùn)項(xiàng)目,因此美光除了繼續(xù)于8英寸廠投單外,12英寸廠目前也已有部分產(chǎn)能開始加入投片行列,因此未來美光將可望再度提供客戶端更有成本競爭優(yōu)勢的CIS產(chǎn)品。


關(guān)鍵詞:

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉