報告稱05年全球閃存市場收入預計52億美元
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為了贏得NOR閃存芯片市場份額,這一市場的主流廠商英特爾和AMD旗下的Spansion公司展開了激烈的價格戰(zhàn)。來自該咨詢機構的高級分析家Mark DeVoss表示,由于價格不斷下滑,為了維持可接受的利潤率,采用每單元兩比特技術成為一種必然。這種每單元含兩比特技術包括來自英特爾的StrataFlash技術和Spansion的MirrorBit技術。
高密度NOR閃存一大應用是手機,手機對閃存集成度的要求是越來越高,在一些市場推出的3G手機產(chǎn)品對NOR閃存的容量需求達到了1G比特,而2.5G手機對NOR閃存的容量需求也從128M比特提升到了256MG比特。
為了滿足這一應用領域的需求,芯片廠商必需在多芯片封裝包中提供至少256M比特集成度的芯片,而且采用每單元含兩比特技術。在三大NOR芯片廠商英特爾、Spansion和STMicroelectronics中,只有英特爾已經(jīng)推出了滿足需求的產(chǎn)品。Spansion和STMicroelectronics在過去的6到9個月通過提供由而到三個128M比特的NOR芯片組成的芯片封裝包來滿足需求,但是這些NOR芯片采用的是每單元單比特技術(SLC)。然而隨著價格的下滑,這種128M比特SLC芯片封裝包的利潤已經(jīng)開始大幅度下滑。
Spansion現(xiàn)在正在推出256M比特S29WS256N MirrorBit芯片產(chǎn)品,而STMicroelectronics也計劃準備推出類似產(chǎn)品。
該咨詢機構還預測,高密度NOR閃存市場收入將在2006年達到58.53億美元,2007年達到62.16億美元,2008年達到66.17億美元,2009年達到71.09億美元。
受手機市場推動,高密度NOR閃存芯片將成為發(fā)展的趨勢。今年256M比特至1024M比特閃存芯片收入在整個NOR市場的比重將達到37%,而到2009年這一比重將提升到76%。
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