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IBM改善工藝技術(shù) 芯片運行頻率突破200GHz

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作者: 時間:2005-08-08 來源: 收藏
  周五推出一項微芯片工藝技術(shù)中的新改進(jìn)。該公司表示,這項改進(jìn)將讓為手機(jī)和其它通信設(shè)備制造更高速的硅設(shè)備一事成為可能。

  在周四發(fā)表的一份聲明中,藍(lán)色巨人表示他們將開始向客戶提供一種經(jīng)過改進(jìn)的、在硅芯片上布鍺線的技術(shù)。

  表示,他們在十年前就發(fā)明了硅鍺工藝技術(shù),然后一直對之進(jìn)行改進(jìn)。通過把鍺加入到硅中——就是我們所說的半導(dǎo)體摻雜過程——芯片做電平翻轉(zhuǎn)的速度就能更快。這種速度增長對射頻通信設(shè)備尤其有意義,因為他們需要對信號做高速的調(diào)制。

  表示,改進(jìn)后的技術(shù)能讓芯片在200GHz這個頻率上運作,也就是說每秒動作2000億次。這種速度有助于通信技術(shù),甚至包括汽車的反撞雷達(dá)技術(shù)的進(jìn)步。

  硅鍺是芯片標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)CMOS的一種替代品。然而目前,硅鍺在整個芯片市場上所占的份額還很小,其每年的銷售在16億美元左右。


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