FSI突破硅化物形成步驟中的金屬剝離技術(shù)

　　FSI 國(guó)際有限公司宣布已成功地采用FSI ViPR™技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成后去除了未反應(yīng)的金屬薄膜。通過(guò)實(shí)現(xiàn)這一新的工藝，IC制造商可以在鈷、鎳和鎳鉑硅化物集成過(guò)程中，大幅度減少化學(xué)品的使用和降低對(duì)資金的要求。新訂購(gòu)的FSI ZETA® Spray Cleaning System噴霧式清洗系統(tǒng)中已經(jīng)采用了FSI ViPR™技術(shù)，并將用于升級(jí)最近已經(jīng)在生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)安裝的系統(tǒng)。

　　鎳鉑硅化物最早應(yīng)用于65nm邏輯器件，因?yàn)樗淖杩垢?，從而可?shí)現(xiàn)器件性能的大幅改善。但在早期應(yīng)用中，業(yè)界發(fā)現(xiàn)在不損害鎳鉑硅化物區(qū)域的情況下，去除未反應(yīng)的鎳和鉑是非常有挑戰(zhàn)性的。在2005年，F(xiàn)SI憑借其新開(kāi)發(fā)的鎳鉑剝離工藝解決了這一問(wèn)題。

　　隨著業(yè)界使用鎳鉑硅化物的經(jīng)驗(yàn)增加，IC制造商觀察到更低的硅化物形成溫度可降低結(jié)泄漏電流。不過(guò)，這一溫度更低的工藝在金屬去除步驟中帶來(lái)了其它的復(fù)雜性，并使得高良率的集成方案無(wú)法實(shí)現(xiàn)。新的基于FSI ViPR™的工藝沒(méi)有這一限制，從而使得這樣一個(gè)低成本、高良率低溫退火鎳鉑硅化物工藝得以實(shí)現(xiàn)。