0.25微米嵌入式非易揮發(fā)性閃存技術(shù)

     0.25微米嵌入式非易揮發(fā)性閃存技術(shù)(簡(jiǎn)稱“EF250產(chǎn)品技術(shù)”)平臺(tái)是在華虹NEC0.25微米CMOS標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)基礎(chǔ)上，嵌入了領(lǐng)先的非易揮發(fā)性閃存技術(shù)的特殊工藝制造平臺(tái)。
    該平臺(tái)能支持2.7V～5.5V寬電壓工作范圍，擴(kuò)大了IC產(chǎn)品的使用范圍，在不增加產(chǎn)品制造成本的前提下，具有領(lǐng)先的抗靜電干擾能力，HBM（人體模式）達(dá)到8kV以上，電子槍模式達(dá)到6kV以上。嵌入式閃存技術(shù)在集成電路產(chǎn)品進(jìn)入SoC的年代，為片上軟件提供了大容量可重復(fù)編程的程序存儲(chǔ)空間。該平臺(tái)擁有豐富的經(jīng)過流片驗(yàn)證的各類核心IP資料庫，客戶可以隨意組合而形成各種IC產(chǎn)品的IP整體解決方案。
    SIM（用戶識(shí)別模塊）卡產(chǎn)品在EF250產(chǎn)品技術(shù)平臺(tái)上的成功應(yīng)用就是一個(gè)典范。在SIM卡產(chǎn)品領(lǐng)域，華虹NEC率先采用閃存技術(shù)替代原來的EEPROM（電可擦寫可編程只讀 存儲(chǔ)器）技術(shù)，不僅解決了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的次數(shù)技術(shù)難題，而且將數(shù)據(jù)的保存性能提高到遠(yuǎn)超過EEPROM的技術(shù)水平，從而使SIM卡的儲(chǔ)存容量從原來的8K字節(jié)增加到現(xiàn)在的256K字節(jié)，與此同時(shí)促使SIM卡產(chǎn)品的制造成本從原來的50元左右大幅降低到現(xiàn)在的3元～4元水平，不僅突破了國外產(chǎn)品的長期壟斷，而且還占據(jù)了國內(nèi)市場(chǎng)的最大份額。此外，基于EF250開發(fā)平臺(tái)，TPM(可信賴平臺(tái)模塊)類安全芯片產(chǎn)品則在除采用大容量閃存IP外，還集成了華虹NEC開發(fā)的各類模擬IP，在國內(nèi)首次開發(fā)成功，打破了該產(chǎn)品的國外壟斷，為國內(nèi)PC的信息安全提供了技術(shù)保障。

·點(diǎn)評(píng)

    0.25微米CMOS技術(shù)擁有較高的性價(jià)比，同時(shí)嵌入的閃存技術(shù)，又為SoC產(chǎn)品提供了廉價(jià)而且容量足夠大的程序存儲(chǔ)空間，滿足目前電子產(chǎn)品越來越短的升級(jí)周期和個(gè)性化靈活配置需求，因而擁有巨大的市場(chǎng)應(yīng)用空間。

0.162微米CMOS工藝技術(shù)

    該工藝將主要用于制造MP3播放器控制芯片、閃存控制器芯片、數(shù)字電視調(diào)制解調(diào)芯片，目標(biāo)市場(chǎng)為中國的數(shù)字電視一體機(jī)、MP3播放器、閃存控制器等數(shù)字消費(fèi)電子產(chǎn)品。
    和艦科技0.162微米CMOS工藝技術(shù)是基于0.18微米邏輯平臺(tái)，其創(chuàng)新特色主要包括：對(duì)現(xiàn)有的0.18微米的量產(chǎn)產(chǎn)品，客戶不需要做任何的設(shè)計(jì)變更，可以經(jīng)由和艦的資料處理后，直接出帶，制作光掩模板；節(jié)省客戶的研究設(shè)計(jì)資源，并縮短開發(fā)時(shí)間，可盡早量產(chǎn)，滿足市場(chǎng)需求；整片晶圓的產(chǎn)出晶?？稍黾哟蠹s25%，并且良率比0.18微米還高，晶粒單位成本可大幅度降低；可利用現(xiàn)有0.18微米的生產(chǎn)線，并不需額外新購機(jī)器設(shè)備。
    基于市場(chǎng)強(qiáng)大需求，積極開發(fā)0.162微米硅片制造工藝技術(shù)將可為設(shè)計(jì)公司提供可靠的技術(shù)支持。目前和艦科技已經(jīng)完成0.162微米硅片制造工藝的開發(fā)，將可以提高國內(nèi)設(shè)計(jì)公司芯片的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力；并且未來還將持續(xù)開發(fā)0.153微米工藝，提升客戶產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。

·點(diǎn)評(píng)

    隨著芯片線寬的不斷縮小，對(duì)CMOS工藝技術(shù)要求也日益提高，因此建立一個(gè)技術(shù)先進(jìn)的集成電路制造工藝技術(shù)平臺(tái)是非常重要的。和艦科技自行研發(fā)的0.162微米硅片制造工藝技術(shù)可以提供更具有技術(shù)和價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品，大大縮短產(chǎn)品量產(chǎn)時(shí)間，并具有低成本及高效能的特性。

大功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管模塊工藝

    大功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管模塊工藝是在6英寸生產(chǎn)線的工藝基礎(chǔ)上，依靠華虹8英寸生產(chǎn)線所具備的先進(jìn)設(shè)備，開發(fā)出的一套新型電源管理加工工藝平臺(tái)。該技術(shù)具備線寬高精細(xì)、管芯高集成度的特征，功耗降低到現(xiàn)有材料之極限，可靠性可符合汽車電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
    6英寸生產(chǎn)線多為0.5微米工藝平臺(tái)，無法實(shí)現(xiàn)當(dāng)今一些新型高性能器件的設(shè)計(jì)要求。華虹NEC在2001年吸收了6英寸0.5微米加工工藝，并移植到該公司8英寸0.35微米工藝，到2005年該技術(shù)已經(jīng)提供了月產(chǎn)5億管芯的巨大加工平臺(tái)。而本創(chuàng)新技術(shù)是在之前移植工藝的基礎(chǔ)上，開發(fā)了適合大功率電源管理模塊加工的0.25微米工藝，提供更有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的工藝平臺(tái)。
    線寬的縮小意味著同樣面積可得到更多的管芯，本技術(shù)充分利用華虹所具備的0.13微米CMOS加工設(shè)備，通過對(duì)工藝的精確控制使器件等比例縮小達(dá)到類似CMOS0.13微米工藝的程度。
    在原材料方面，華虹NEC與全球前三大硅材料供應(yīng)商都有密切的合作開發(fā)項(xiàng)目，可提供低阻、高耐壓且不降低生產(chǎn)性的解決方案；在加工工藝上華虹NEC優(yōu)化光刻、腐蝕等工藝，使器件溝道電阻降低20%；在加工耗材上，成功引進(jìn)并優(yōu)化了硅化鈷工藝、鈦金蒸鍍工藝，大大降低了產(chǎn)品的接觸電阻。
    華虹NEC在2007年以其穩(wěn)定的工藝管控、良好設(shè)備維護(hù)團(tuán)隊(duì)、成熟的工藝開發(fā)經(jīng)驗(yàn)順利通過了TS16949(汽車質(zhì)量管理體系)認(rèn)證，成為為數(shù)不多的可為汽車電子類產(chǎn)品提供工藝平臺(tái)的企業(yè)。這也意味著華虹NEC的電源管理模塊工藝的可靠性已為各領(lǐng)域所認(rèn)可。

·點(diǎn)評(píng)

    該技術(shù)是基于8英寸生產(chǎn)線先進(jìn)設(shè)備，0.25微米技術(shù)的大功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管模塊工藝。主要為新型電源管理單元提供高精細(xì)、高可靠性、低成本的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)平臺(tái)，從而使大功率電源管理模塊具備高性能、低功耗的優(yōu)點(diǎn)，使產(chǎn)品在國際市場(chǎng)上具備良好的競(jìng)爭(zhēng)力。該技術(shù)極好地符合了全球能源需求的不斷增長以及環(huán)境保護(hù)意識(shí)逐步提升的發(fā)展趨勢(shì)。