一款效率高達(dá)80%且功率損耗不足1W的3A、1.2VOUT 線性穩(wěn)壓器(07-100)
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引言
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/81737.htm由于穩(wěn)壓器對壓降的要求、效率的低下、因穩(wěn)定性需要而對輸出電容器過于嚴(yán)格的要求以及啟動(dòng)時(shí)太大的浪涌電流等原因，在大電流 (>1A) 低壓降電壓應(yīng)用中采用線性穩(wěn)壓器一直都是個(gè)難題。TI 推出的具有雙輸入軌的 TPS74x01解決了上述問題。
線性穩(wěn)壓器拓?fù)涓攀?/strong>
大電流應(yīng)用中線性穩(wěn)壓器的主要缺點(diǎn)是效率較低，其效率可以通過 VOUT/VIN 計(jì)算得出。線性穩(wěn)壓器的功率損耗 (PLOST) 主要來自其封裝，該功率損耗可以通過如下公式計(jì)算得出：
TO-263 或 D2PAK 封裝是可用于線性穩(wěn)壓器的最大表面貼裝封裝。不計(jì)氣流的話，該封裝的最大功耗大約為 2.75W(假設(shè)該封裝與一塊較大的銅板焊接在一起用于散熱)。帶有 PMOS 旁路元件的大多數(shù)大電流低壓降線性穩(wěn)壓器的最小輸入電壓范圍為 2.5V~2.7V，其不但可以為內(nèi)部 LDO 驅(qū)動(dòng)電路供電，而且還足以驅(qū)動(dòng) PMOS FET 來提供較高的輸出電流。
由于額外氣流和/或需要對穩(wěn)壓器所產(chǎn)生的熱量進(jìn)行外部散熱，因此，在輸出電壓低于 1.8V 和輸出電流大于 2.5A 時(shí)使用帶有 PMOS 旁路元件的線性穩(wěn)壓器就會(huì)顯得不便，并且成本也會(huì)增加。
因?yàn)?NMOS FET 與具有相同電流速率的 PMOS FET 相比，一個(gè)較低的 rDS(on) 是其固有的特性，所以 NMOS FET 旁路元件只需要更低的 VIN-VOUT 壓降即可提供相同強(qiáng)度的電流。但是，基于 NMOS 的穩(wěn)壓器的源極跟隨電路結(jié)構(gòu)要求 FET 門極至少為一個(gè)高于輸出電壓的閾值壓降(一般為 1V)。穩(wěn)壓器需要一個(gè)內(nèi)部充電泵來提供一個(gè)更高的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，或是一個(gè)由電路中現(xiàn)有的 5V 或 3.3V 偏置電源產(chǎn)生的二次低功耗輸入軌。這也就是設(shè)計(jì)基于 NMOS 旁路元件的雙輸入軌 TPS74x01 系列線性穩(wěn)壓器的原因。
壓降
如圖 1 所示，TPS74x01線性穩(wěn)壓器有兩個(gè)輸入電壓，其中一個(gè)用來提供弱電流偏置電壓以驅(qū)動(dòng)控制 NMOS 旁路元件的內(nèi)部電路，另一個(gè)用來進(jìn)行二次功率輸入。所有的內(nèi)部電路均使用較高的偏置電壓運(yùn)行，旁路元件可以通過一個(gè)低壓輸入源實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。實(shí)際上，輸入功率 IN 只受制于輸出電壓和器件壓降。
TPS74x01 有兩種不同規(guī)格的壓降。第一種規(guī)格為 VIN 壓降，其專門針對那些希望通過采用一個(gè)外部偏置電壓來實(shí)現(xiàn)較低壓降的用戶。該規(guī)格的穩(wěn)壓器偏置電壓大于輸出電壓，至少為 1.62V。此類應(yīng)用中，F(xiàn)PGA 收發(fā)器一般使用低紋波、1.2V 和 3A 的電源軌，該收發(fā)器內(nèi)部 1.5V 和3.3V的開關(guān)電源分別提供輸入電壓和偏置電壓。在該結(jié)構(gòu)中，55℃時(shí)功耗為1.9W的 3×3mm QFN 封裝功耗僅為 (1.5V-1.2V)×3A=0.9W，從而達(dá)到 1.2V/1.5V=80% 的效率。
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