ST推出全新快速恢復(fù)MOSFET產(chǎn)品

　　意法半導(dǎo)體推出快速恢復(fù)MOSFET晶體管新產(chǎn)品系列，為滿足包括再生能源控制器在內(nèi)的以能效為中心的應(yīng)用需求，新產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上提高了開關(guān)性能，同時還使導(dǎo)通電阻實現(xiàn)超過18%的降幅。

　　STW55NM60ND是新的超結(jié)FDmesh™ II系列產(chǎn)品的首款產(chǎn)品，這是一款600V N溝道MOSFET晶體管，0.060歐姆的導(dǎo)通電阻在快速恢復(fù)MOSFET晶體管市場上創(chuàng)下最低記錄，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝。由于最大漏極電流達到51A，在對空間有嚴格要求的電信設(shè)備和服務(wù)器系統(tǒng)轉(zhuǎn)換器中，可以用一個MOSFET晶體管替代多個標(biāo)準(zhǔn)器件。再加上降低的損耗實現(xiàn)更高的熱管理效率，新產(chǎn)品讓設(shè)計工程師大幅度提高功率密度。

　　為把這些改進的性能變?yōu)楝F(xiàn)實，ST對FDmesh超結(jié)架構(gòu)進行了技術(shù)改進，在傳統(tǒng)的帶狀MOSFET結(jié)構(gòu)中融合垂直結(jié)構(gòu)，同時還內(nèi)置一個速度更快、可靠性更強的本征體二極管。除降低導(dǎo)通電阻和恢復(fù)時間外，通過降低柵電容、柵電荷和柵輸入電阻，這些技術(shù)改良更能提高開關(guān)效率，降低驅(qū)動損耗。在開關(guān)期間提高的可靠性，特別是在橋式拓撲中，包括在低負載下的零壓開關(guān)（ZVS）結(jié)構(gòu)，使新產(chǎn)品具有很高的dv/dt值。

　　采用這項技術(shù)的未來產(chǎn)品還將提供更多的封裝選擇和電流性能，每款封裝都讓快速恢復(fù)MOSFET晶體管具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。其中，STP30NM60ND采用TO-220封裝，額定漏極電流25A，導(dǎo)通電阻0.13歐姆；STD11NM60ND采用DPAK貼裝封裝，漏極電流10A，導(dǎo)通電阻0.45歐姆；ST的FDmesh II系列產(chǎn)品將不斷推出新產(chǎn)品，以擴大電壓和電流性能的選擇范圍，后續(xù)產(chǎn)品將采用業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的功率封裝。

　　STW55NM60ND現(xiàn)在已開始量產(chǎn)。