Microsemi宣布推出新的1.7KW RF發(fā)生器參考設計工具套件

　　Irvine, CA, 2008年5月6日(首要的新聞專線，通過COMTEX新聞網絡)-- Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC)，一個領先的、高性能模擬和混合信號集成電路和高可靠性半導體器件制造商，宣布推出一個新的1.7KW推挽D類參考設計工具套件，該設計工具套件使得RF設計工程師能夠立即對一個高效率、大功率的D類RF 放大器進行評估。

　　基于Microsemi DRF1300 驅動器/MOSFET混合集成電路之上，這個新的參考設計工具套件為開發(fā)大功率、高電壓的RF 發(fā)生器以及優(yōu)化等離子體發(fā)生器、開關模式功率放大器、脈沖發(fā)生器、超聲波轉換器驅動器、聲光模塊的效率和功率密度提供了一個重要的工具?！?/p>

產品的主要特性：
• 輸出功率超過1700 W
• D類運行的效率高于80%
• 開關頻率：13.56 MHz
• 電源電壓高達 250V 
• 內部MOSFET 的BV(DSS)額定值：500V
• 低成本的系統設計
• 適合于從電子管放大器轉變?yōu)楣虘B(tài)放大器

　　D類放大器能夠提供線性放大器所不能提供的高效率。然而，許多工程師或者回避D類放大器復雜的設計，或者不得已花費數月來學習它的基本原理。使用Microsemi新的DRF1300/D類參考設計工具套件，可使工程師迅速克服高電壓D 類設計中的 困難，節(jié)約數月的設計時間，避免無數反復的設計。

　　該工具套件的電路板以Microsemi DRF1300 驅動器/MOSFET混合集成電路為核心，能夠獲得以往固態(tài)D類放大器不可能實現的性能。DRF1300混合集成電路將二個驅動器、二個高電壓MOSFET和內部旁路電容組合為一個推挽電路拓撲，成為一個高效率、高電壓和高成本效益的解決方案。因為該驅動器與位置被優(yōu)化的旁路電容相組合，所以能夠在高于30MHz的頻率下驅動高電壓的MOSFET。500V的MOSFET使之能夠應用于高電壓，從而極大地簡化輸出匹配，并降低輸出連接網絡的復雜性。

　　這套新的Microsemi D類參考設計工具套件包括：提供給設計者的應用指南，用來說明如何通過一系列的各種不同輸出電壓，來確定安全轉換最大功率1700W到50歐姆負載所必需的合適輸出波形。同時，它還演示了如何在較低的1KW輸出下，達到高于90%的效率。它示范了在大功率D類功放的設計中, 對電源旁路電容和高功功率電感設計的要求.套件還提供裝配齊全的電路板，該電路板安裝在一個機械加工的散熱器之上。

　　該D類參考設計工具套件是非常通用的設計工具。在評估了采用預負荷500V、30A的DRF1300混合集成電路的一個設計之后，能夠很容易地用1000V、15A 的DRF1301驅動器/MOSFET混合集成電路來改造這個設計，使之適用于需要更高電壓的應用。

　　DRF1300混合集成電路的特點是采用空氣腔-無凸緣的封裝，這種封裝比常規(guī)的塑料封裝具有更高的可靠性。因為無凸緣封裝使用熱膨脹系數(CTE)接近匹配的材料，所以可以減輕在功率循環(huán)期間內元器件之間的應力，使系統的可靠性最大化。在超過一百萬次的循環(huán)中，演示了典型應用，其功率密度為 700W/平方英寸。由于無凸緣封裝設計的采用，不再需要通常在大功率RF封裝中使用的昂貴的銅-鎢翼板，因此也降低了成本。

　　目前，DRF1300/D類參考設計工具套件已可供貨，單價為 $1600。并可提供DRF1300和DRF1301驅動器/MOSFET混合集成電路的樣品。另外，對于批量為100 的DRF1300混合集成電路的訂貨，單價為$225.00。所有的器件都通過工廠或經授權的Microsem RF產品批發(fā)商供貨。