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日美公司制成最小靜態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)器元件

作者: 時(shí)間:2008-12-18 來源:新華網(wǎng) 收藏

  日本東芝公司、美國IBM和AMD公司17日聯(lián)合發(fā)表新聞公報(bào)說,這3家公司共同利用鰭式場(chǎng)效晶體管開發(fā)出面積僅0.128平方微米的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)元件,并確認(rèn)這種世界上最小的SRAM元件能夠正常工作。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/90306.htm

  公報(bào)說,以往使用平面晶體管制造SRAM元件時(shí),半導(dǎo)體廠家通常依靠向元件內(nèi)注入大量混合物來調(diào)節(jié)晶體管的特性,從而縮小晶體管的體積。但是,這樣的調(diào)節(jié)方法容易造成晶體管特性參差不齊,從而導(dǎo)致SRAM元件穩(wěn)定工作的性能下降。而不需要向硅通道注入大量混合物的鰭式場(chǎng)效晶體管,被業(yè)界認(rèn)為可以替代以往的平面晶體管,從而既抑制晶體管特性的參差不齊,又可實(shí)現(xiàn)SRAM元件的小型化。

  公報(bào)說,研究人員依靠新技術(shù),用極其微小的非平面晶體管——鰭式場(chǎng)效晶體管制造出了SRAM元件。此前,世界上最小的SRAM元件的面積為0.274平方微米,新研制出的SRAM元件的面積比前者縮小了超過50%。

 ?。樱遥粒褪且环N具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路就能保持它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不消失,因而具有更高的性能。把SRAM元件做得更小,芯片面積也能隨之縮小,就有可能制作出更高速且更省電的處理器。



關(guān)鍵詞: 隨機(jī)存取儲(chǔ)器

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