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Diodes推出全球體積最小的自保護(hù)式MOSFET ZXMS6004FF

作者: 時(shí)間:2008-12-23 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列,推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝,與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/90417.htm

  雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧,但其卓越的散熱性能可使提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導(dǎo)通電阻僅為500m?,能夠使功耗保持在絕對(duì)極小值。

  將靜電放電(ESD)、過壓、過流及過溫保護(hù)集成于一個(gè)高散熱效率封裝,為元件本身及負(fù)載提供了完善的保護(hù),有助于減少元件數(shù)、印刷電路板尺寸及系統(tǒng)總成本,滿足各種汽車及工業(yè)應(yīng)用需要。該器件的超小外形也使空間有限的應(yīng)用能夠首次集成自保護(hù)式的MOSFET。

  該器件的連續(xù)額定電流為1A,且符合AECQ101標(biāo)準(zhǔn),能耐受60V的負(fù)載突降瞬變。ZXMS6004FF的邏輯電平輸入為3.3V或5V,可通過微控制器輸出直接驅(qū)動(dòng)。



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