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中國(guó)特色I(xiàn)C產(chǎn)業(yè)30年發(fā)展之路

作者: 時(shí)間:2008-12-31 來源:中電網(wǎng) 收藏
  改革開放30年來,突飛猛進(jìn)的發(fā)展為產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)帶來了盎然生機(jī),而的不斷躍升也給電子信息制造業(yè)的升級(jí)換代奠定了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)基礎(chǔ)。沒有產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展,沒有規(guī)模化大生產(chǎn)的建設(shè),沒有創(chuàng)新體制和自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的提升,電子信息制造業(yè)甚至整個(gè)信息產(chǎn)業(yè)大廈都將缺失賴以聳立的地基。30年來,及集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展印證了這一點(diǎn)。  

  我國(guó)是從1956年起步的。20世紀(jì)50年代中期,我國(guó)開始大規(guī)模的經(jīng)濟(jì)建設(shè)。世界上剛剛興起的引起科技專家的關(guān)注,受到了黨和國(guó)家的重視。1956年,周恩來總理親自主持制定了《1956年至1967年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃綱要》(簡(jiǎn)稱十二年科學(xué)規(guī)劃),其中把電子計(jì)算機(jī)、半導(dǎo)體、超高頻、電子儀器和遙控等電子技術(shù)列為國(guó)家重點(diǎn)科技技術(shù)項(xiàng)目。

  1956年11月,在半導(dǎo)體專家王守武、林蘭英和武爾禎領(lǐng)導(dǎo)下,中國(guó)第一只鍺合金晶體管在北京華北無線電元件研究所誕生。  

  在“二五”計(jì)劃(1958年-1962年)和三年國(guó)民經(jīng)濟(jì)調(diào)整時(shí)期(1963年-1965年),根據(jù)國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)防建設(shè)的需要以及中央“調(diào)整、鞏固、充實(shí)、提高”的方針,在電子工業(yè)發(fā)展比較順利的同時(shí),針對(duì)電子工業(yè)的缺門和薄弱環(huán)節(jié),國(guó)家先后投資第一批7.77億元、第二批5.29億元,進(jìn)行了較大規(guī)模的基本建設(shè)和技術(shù)改造,調(diào)整了產(chǎn)品結(jié)構(gòu),建成了9個(gè)重點(diǎn)電子研究所,大大增強(qiáng)了設(shè)計(jì)研制能力,取得了不少科技成果。例如:1958年開始計(jì)算機(jī)的研制,并于1959年由中國(guó)科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所研制出我國(guó)第一臺(tái)電子計(jì)算機(jī)——— 104型通用電子計(jì)算機(jī),字長(zhǎng)40位,每秒運(yùn)算1萬次。1965年,河北半導(dǎo)體研究所研制成功并定型我國(guó)第一塊集成電路(DTL門電路),次年又研制并定型了線性集成電路(寬頻帶放大器、中頻前置低噪聲放大器)。上海元件五廠同中科院上海冶金研究所合作,也在1965年試制出PN結(jié)隔離的DTL門電路。1968年,采用這種國(guó)產(chǎn)DTL型數(shù)字電路研制成功中國(guó)第一臺(tái)第三代電子計(jì)算機(jī)。  

  到了1970年,國(guó)內(nèi)集成電路的年產(chǎn)量已經(jīng)超過400萬塊,產(chǎn)品門類主要是TTL(晶體管-晶體管邏輯電路)系列小規(guī)模電路。20世紀(jì)70年代初,全國(guó)建成集成電路生產(chǎn)企業(yè)40余家。中國(guó)第一塊大規(guī)模集成電路(LSI)PMOS(P型金屬氧化物半導(dǎo)體)型電路于1972年研制成功。從小規(guī)模集成電路(SSI)到大規(guī)模集成電路的研制,我國(guó)僅用了7年時(shí)間。在此之后,又研制成功NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)電路、CMOS(互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體)電路。  

  在國(guó)家改革開放政策的推動(dòng)下,電子工業(yè)在“六五”計(jì)劃期間對(duì)集成電路大生產(chǎn)進(jìn)行了有益的探索。1982年10月,國(guó)務(wù)院為了加強(qiáng)對(duì)全國(guó)計(jì)算機(jī)和大規(guī)模集成電路的領(lǐng)導(dǎo),成立了電子計(jì)算機(jī)和大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組,制定了中國(guó)集成電路發(fā)展規(guī)劃,提出“六五”期間要對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)行改造。1983年我國(guó)提出“建立南北兩個(gè)基地和一個(gè)點(diǎn)”。其中,“南方基地”主要指江蘇、上海和浙江,“北方基地”主要指北京、天津和沈陽,“一個(gè)點(diǎn)”指西安。江蘇無錫742廠(江南無線電器材廠)1980年引進(jìn)彩色和黑白電視機(jī)用集成電路生產(chǎn)線,主要生產(chǎn)雙極型消費(fèi)電子類線性電路,1984年產(chǎn)量達(dá)3000萬塊,并于1986年5月研制成功64KDRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)。這一時(shí)期,國(guó)內(nèi)主要集成電路工廠有30余家,技術(shù)人員達(dá)5000人左右,1985年集成電路年產(chǎn)量達(dá)5300萬塊。這一時(shí)期研制成功的新產(chǎn)品還有16KB動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、4KB靜態(tài)存儲(chǔ)器、高速1KB靜態(tài)存儲(chǔ)器等大規(guī)模集成電路。  

  “七五”計(jì)劃期間的重大舉措是實(shí)施“531”工藝技術(shù)發(fā)展戰(zhàn)略,即在此期間普及推廣5微米技術(shù),重點(diǎn)企業(yè)掌握3微米技術(shù),開展1微米技術(shù)的科技攻關(guān),并重點(diǎn)部署了無錫微電子工程項(xiàng)目建設(shè)。其中包括建設(shè)2微米-3微米大生產(chǎn)線、制板和科研中心。2微米-3微米大生產(chǎn)線1988年開工,1993年投入大規(guī)模生產(chǎn)。  

  在“八五”期間建成的華晶集團(tuán)公司、華越微電子有限公司、上海貝嶺微電子制造有限公司、上海飛利浦半導(dǎo)體公司和首鋼日電電子有限公司等5個(gè)主干企業(yè),對(duì)振興中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生了重要影響。至此,我國(guó)從事IC生產(chǎn)的主要工廠有15個(gè),從事IC研究和設(shè)計(jì)的單位有25個(gè),初步形成了集成電路產(chǎn)品設(shè)計(jì)、芯片制造和封裝測(cè)試的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu),從業(yè)人員達(dá)3.5萬人,其中技術(shù)人員1萬人。  

  1995年我國(guó)集成電路年產(chǎn)量近18億塊。但是,我國(guó)集成電路的年產(chǎn)量在全球市場(chǎng)中的比例還不到1%,同國(guó)際主流水平的差距更大了。  
為了滿足國(guó)內(nèi)需要,縮小同國(guó)際水平的差距,國(guó)家決定先后啟動(dòng)“908工程”和“909工程”。  


  “908工程”0.8微米-1微米6英寸生產(chǎn)線,從朗訊科技公司引進(jìn),具備月投6000片6英寸圓片的生產(chǎn)能力,1995年動(dòng)工,1998年1月驗(yàn)收。  

  “909工程”8英寸、0.5微米深亞微米芯片大生產(chǎn)線,從日本NEC公司引進(jìn),投資100億元,1996年4月動(dòng)工,1999年2月投產(chǎn),技術(shù)檔次從原計(jì)劃的0.5微米提升到0.35微米-0.24微米,生產(chǎn)的64兆、128兆SDRAM(同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)存儲(chǔ)器達(dá)到當(dāng)時(shí)的國(guó)際主流水平。這條生產(chǎn)線的建成投產(chǎn),標(biāo)志著我國(guó)集成電路大生產(chǎn)技術(shù)邁進(jìn)8英寸、深亞微米的國(guó)際水平。  

  由此可以看出,在國(guó)家大力推動(dòng)集成電路發(fā)展有關(guān)政策的指導(dǎo)下,我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入一個(gè)快速成長(zhǎng)的新時(shí)期,大量資金的投入是催生快速成長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Α?nbsp; 

  據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),2000年-2007年,我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)投入資金多達(dá)290億美元,是2000年以前30年間投資總和的9倍左右。2000年-2007年,我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模迅速擴(kuò)大,技術(shù)水平顯著提高,年均增長(zhǎng)率達(dá)到30%左右。2007年集成電路產(chǎn)量達(dá)到411.6億塊,銷售額達(dá)1251億元。  

  這些發(fā)展和成就,令業(yè)界人士振奮,但我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)同國(guó)際主流水平的差距仍然很大,投資力度不大仍然是制約我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展的瓶頸。我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)期盼籌措更多的資金,節(jié)節(jié)推進(jìn)規(guī)模化大生產(chǎn),進(jìn)一步完善創(chuàng)新體制,研發(fā)更多擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新產(chǎn)品,在推進(jìn)信息化和工業(yè)化融合的大潮中,走出一條有中國(guó)特色的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展之路,在整個(gè)價(jià)值鏈中體現(xiàn)自己不可或缺的價(jià)值。  

  借鑒微軟“黑屏”計(jì)劃事件的警示,我國(guó)半導(dǎo)體專家和信息安全專家繼續(xù)思考著電子系統(tǒng)產(chǎn)品和互聯(lián)網(wǎng)的信息安全的問題,思考著“后門”的安全隱患問題。


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