安森美半導(dǎo)體推出業(yè)界首款集成型便攜電子產(chǎn)品雙向過壓保護(hù)及外部附件過流保護(hù)器件

        NCP370保護(hù)便攜設(shè)備免受浪涌損傷，并控制反向電流來保護(hù)便攜設(shè)備附件，不需使用外部元件。

        2009年2月3日 - 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)推出業(yè)界首款集成型雙向器件，為手機(jī)、MP3/4、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)和GPS系統(tǒng)提供正向及負(fù)向(+/-)過壓保護(hù)(OVP)，并為調(diào)頻(FM)收發(fā)器、負(fù)載揚(yáng)聲器和閃光模塊等便攜附件提供過流保護(hù)(OCP)。

 

        這整體集成的解決方案精簡便攜電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，不需使用外部元件——迄今為止——設(shè)計(jì)人員需要采用外部元件來保護(hù)易受影響的便攜設(shè)備，使其免受源于墻式適配器及附件、不適合的修配用零件市場的交流-直流(AC-DC)適配器以及某些USB線纜中因極性反向?qū)е聠栴}的電氣浪涌損傷。

        新的NCP370提供高達(dá)+28伏(V)的正向保護(hù)和低至-28 V的負(fù)向保護(hù)，顯著改善便攜設(shè)備的前端保護(hù)。這顆器件采用創(chuàng)新的架構(gòu)，還為連接在底部連接器以鋰離子電池供電的外部附件提供OCP。

 

      NCP370集成了低導(dǎo)通阻抗(Ron)的N溝道MOSFET，有效支持便攜電子產(chǎn)業(yè)最新的鋰離子電池充電電平所要求的高達(dá)1.3安(A)的較大直接充電流。NCP370是安森美半導(dǎo)體新一代OVP產(chǎn)品其中的一款，提供幾種不同的過壓閾值來配合下行應(yīng)用的最大額定值要求。此外，這器件還提供另一種“反向”模式，實(shí)現(xiàn)對源自便攜設(shè)備電池的反向電流的穩(wěn)流，為廣泛連接在便攜設(shè)備底部連接器上的FM收發(fā)器、音頻功能或閃光功能等外部附件供電。

 

        NCP370設(shè)計(jì)用于內(nèi)部限制高達(dá)1.6 A的電流。這個(gè)電流值能夠以外部下拉電阻來降低，因而不需在應(yīng)用中使用外部OCP器件，既降低生產(chǎn)成本，也減少最終便攜應(yīng)用中的印制電路板(PCB)面積。NCP370具有低于1微安(µA)的待機(jī)電流，避免在拔出墻式適配器或手機(jī)關(guān)機(jī)時(shí)的電池放電，因而延長電池使用時(shí)間及限制反復(fù)重新充電。

 

        NCP370是安森美半導(dǎo)體針對便攜應(yīng)用四個(gè)常見主要子系統(tǒng)產(chǎn)品陣容新增的重要器件。這器件配合互連子系統(tǒng)具挑戰(zhàn)的要求。除了互連子系統(tǒng)，安森美半導(dǎo)體還提供用于手持便攜設(shè)備中的顯示和照明、電源管理和音/視頻三個(gè)主要子系統(tǒng)的解決方案。