新日本無線推出設(shè)有旁通電路低噪聲放大器GaAs MMIC NJG1135MD7
新日本無線開發(fā)完成了設(shè)有旁通電路低噪聲放大器GaAs MMIC NJG1135MD7,并開始發(fā)放樣品。該產(chǎn)品最適用于帶有CMOS RF-IC※1的800MHz/1900MHz頻段CDMA模式手機。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/91494.htm近年來,為了降低手機成本,RF-IC的CMOS化在不斷地進(jìn)步。以往的低噪聲放大器內(nèi)置于RF-IC內(nèi),但是CMOS很難構(gòu)成高性能的低噪聲放大器。所以有必要增加外部元件的低噪聲放大器。
因此,要通過CMOS工藝來降低成本,外部元件的高線形性的低噪聲放大器是必要的。NJG1135MD7就是能滿足這種要求的設(shè)有旁通電路低噪聲放大器。用于800MHz/1900MHz頻段的 CDMA模式手機終端。
NJG1135MD7是由低噪聲放大電路?旁通電路?控制用邏輯電路來構(gòu)成的。使用高性能HJ FET工藝,實現(xiàn)了高線形性(IIP3 +10dBm typ.@ f=880MHz / IIP3 +8dBm typ.@ f=1960MHz)。
另外,為防止離基地局較近地區(qū)發(fā)生的強磁場輸入時所造成的放大器視失真,設(shè)置了不經(jīng)過放大電路的旁通模式(Low gain模式),并且讓內(nèi)置的低噪聲放大電路處于待機狀態(tài),從而實現(xiàn)了低耗電流化。
NJG1135MD7采用超小超薄EQFN14-D7(1.6x1.6x0.397mm typ.) 封裝,節(jié)省了裝載電路板的空間的同時,又符合了無鉛無鹵化物標(biāo)準(zhǔn),為減輕環(huán)境負(fù)荷做出了貢獻(xiàn)。
具有高線形特性?低消耗電流?節(jié)省空間特點的NJG1135MD7,實現(xiàn)了800MHz/1900MHz頻段CDMA用無線電路部RF-IC的CMOS化,并為手機低價格作出了貢獻(xiàn)。
※1 無線頻段信號處理IC
NJG1135MD7具有以下特征,最適用于800MHz/1900MHz頻段的CDMA模式手機。
1、具有高線形性,實現(xiàn)了IIP3 +10dBm typ.@ f=880MHz / IIP3 +8dBm typ.@ f=1960MHz (High gain模式時)
2、High gain mode和Low gain mode可切換。
3、Low Gain模式時,實現(xiàn)了30μA(typ.)的低消耗電流。
4、采用小型封裝,為節(jié)省空間作出了貢獻(xiàn)。
5、內(nèi)置保護(hù)元件,用HBM(Human Body Model)方法,實現(xiàn)了2000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)靜電耐壓
產(chǎn)品開發(fā)一覽
產(chǎn)品性能及特點概要
●低工作電壓+2.8V typ.
●低切換電壓 +1.8V min.
[high gain 模式]
●高輸入IP3+10dBm typ.@ f=880MHz
+8dBm typ.@ f=1960MHz
●高增益+16dB typ.@ f=880MHz / 1960MHz
●低噪聲指數(shù)1.4dB typ.@ f=880MHz / 1960MHz
[low gain 模式]
●低消耗電流30uA typ.
●高輸入IP3+19dBm typ.@ f=880MHz
+17dBm typ.@ f=1960MHz
●超小超薄封裝 EQFN14-D7 ( 1.6x1.6x0.397mm typ,無鉛無鹵化物)
生產(chǎn)計劃/樣品價格
新日本無線從2009年1月開始發(fā)放NJG1135MD7樣品,預(yù)計從2009年2月投產(chǎn)后月產(chǎn)30萬個。樣品價格為100日元。
以上
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