我國半導體照明風險與機遇中前進
雖然國家半導體照明工程總體進展順利,但是我們應該清楚地看到,與國際相比,我國在半導體照明技術與產業(yè)方面尚存在一定差距,還面臨著許多急需解決的問題。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/94719.htm首先,產業(yè)化的核心技術與專利缺乏,研發(fā)投入不足,研究力量分散,缺少產業(yè)化的國家公共研發(fā)平臺。
我國外延材料的核心技術研究仍處于弱勢,生產外延材料的MOCVD(化學氣相沉積設備)核心裝備也高度依賴進口,無法支撐外延核心技術、工藝和方法的持續(xù)創(chuàng)新,并且制造成本高。半導體照明外延材料的研發(fā),不僅在設備與原料上投入很高,而且還是一項"人與機器結合"不斷摸索的艱苦工作。與國外相比,我國研究投入明顯不足,研究力量又分散,研究工作也缺乏連續(xù)性,再加上設備、技術、信息不能有效共享等問題,造成核心關鍵技術的研發(fā)沒有形成合力,缺少能夠有效地對單項技術集成和促進工藝上、工程上成熟的產業(yè)化支撐平臺,無法形成自主創(chuàng)新資源的合理配置和集中投入。
其次,產業(yè)鏈發(fā)展不均衡,企業(yè)規(guī)模偏小、創(chuàng)新能力弱,高端市場被國際公司占據。
我國LED產業(yè)雖然先后實現(xiàn)了自主生產器件、芯片和外延片,但自產的LED外延、芯片仍以中、低檔為主,產業(yè)化規(guī)模偏小,80%以上的高亮功率型LED芯片、器件還是依賴進口。由于技術進步速度加快,大規(guī)模應用市場正在形成,所以急需上、中游規(guī)?;a能力的擴大和產品性能的提高。目前雖然民間資本介入較快,但與國外相比企業(yè)規(guī)模較小,形不成競爭優(yōu)勢和品牌,并且技術創(chuàng)新能力與承擔風險能力都遠遠不夠,因此高端外延、芯片市場仍然被國際幾大巨頭壟斷。
再次,標準與檢測體系不完善,缺乏權威檢測平臺。
由于半導體照明技術進步快,涉及行業(yè)多,處在多學科交叉的產業(yè)邊緣地帶,以及在檢測設備、檢測方法的研發(fā)等方面沒有足夠的投入,導致半導體照明的標準與檢測體系尚未形成,也沒有針對半導體照明產品的權威檢測平臺。由于LED產品的技術差異性極大,又沒有專業(yè)權威、統(tǒng)一的測試機構與認證標準,加之地方政府示范心切,且又急于發(fā)展地方的企業(yè),導致產品質量良莠不齊,嚴重影響消費者的信心。
最后,缺乏針對光電產業(yè)發(fā)展的政策。
美國、日本、歐盟等采取了一系列措施來促進半導體照明的應用和推廣。與國外相比,我國尚沒有相關的產業(yè)促進政策出臺或沒有實施細則,缺乏支持產業(yè)發(fā)展的相應措施。特別是核心裝備和關鍵原材料高度依賴進口,過高的進口關稅及增值稅,嚴重影響了國內上游外延芯片企業(yè)制造成本的降低和規(guī)模的擴大。
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