Ramtron 4Mb F-RAM器件獲選用于工業(yè)用固態(tài)硬盤

　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布，其4Mb F-RAM器件FM22L16已獲深圳市盛博科技嵌入式計(jì)算機(jī)有限公司采用，以生產(chǎn)創(chuàng)新的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備—固態(tài)硬盤 (solid-state disk, SSD)。

　　盛博科技專門研究、開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)基于國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式硬件和軟件系統(tǒng)，瞄準(zhǔn)工業(yè)自動(dòng)化市場(chǎng)，終端客戶遍及軌道運(yùn)輸、電力、醫(yī)療設(shè)備和運(yùn)動(dòng)控制等應(yīng)用領(lǐng)域。

　　除了能夠在斷電后保持?jǐn)?shù)據(jù)外，非易失性F-RAM存儲(chǔ)器也具有幾乎無(wú)限的讀寫次數(shù)、無(wú)延遲寫入和極低功耗等優(yōu)點(diǎn)。配合4Mb的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量，使得Ramtron 的FM22L16成為盛博科技工業(yè)SSD產(chǎn)品最具吸引力的存儲(chǔ)解決方案。

　　Ramtron全球市場(chǎng)推廣總監(jiān)徐夢(mèng)嵐評(píng)論道：“基于閃存的SSD的面世，意味著計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)子系統(tǒng)架構(gòu)的改變。F-RAM具有的無(wú)需后備電池、改進(jìn)的系統(tǒng)功耗、更高可靠性，以及更緊湊的外形尺寸等特點(diǎn)，解決了一直以來(lái)困擾著SSD業(yè)界的耐久性問(wèn)題。”

　　盛博科技使用標(biāo)準(zhǔn)硬盤 (HDD) 接口和控制器，將閃存的虛擬物理地址和邏輯地址的空間映射像表 (block-to-sector map) 存儲(chǔ)到FM22L16內(nèi)。由于閃存本身有寫入次數(shù)的限制，很容易過(guò)早出現(xiàn)損耗，必須將需要經(jīng)常更新的SSD內(nèi)的數(shù)據(jù)地址存儲(chǔ)到映射表中，便可以減少閃存的損耗。映射表須經(jīng)常寫入更新，而且要求在斷電狀態(tài)中保存，F(xiàn)-RAM 正好適合在這種頻繁讀寫及低功耗的環(huán)境中應(yīng)用。另外，使用F-RAM的SSD不含傳統(tǒng)硬盤的運(yùn)動(dòng)部件或機(jī)械故障點(diǎn)，所以非常適合工業(yè)應(yīng)用。

　　徐夢(mèng)嵐總結(jié)道：“Ramtron 很高興能夠協(xié)助盛博科技開(kāi)發(fā)其 SSD 產(chǎn)品。在工業(yè)自動(dòng)化行業(yè)中，Ramtron FM22L16是需要高耐久性、無(wú)電池及低功耗設(shè)計(jì)的理想存儲(chǔ)器。”

　　盛博科技總經(jīng)理趙勇稱：“Ramtron 之 FM22L16存儲(chǔ)器具有高耐久性、快速寫入和低功耗特性，是嵌入式領(lǐng)域應(yīng)用的理想選擇。”

　　產(chǎn)品特性

　　Ramtron之FM22L16是256Kx16非易失性存儲(chǔ)器，讀寫操作與標(biāo)準(zhǔn) SRAM 相似。它具備快速寫入、幾乎無(wú)限的寫入耐久性，并在意外掉電期間不會(huì)丟失存儲(chǔ)數(shù)據(jù)等特點(diǎn)，因而優(yōu)于其它類型的存儲(chǔ)器。FM22L16無(wú)需電池，只需極低的電流 (工作狀態(tài)18mA、待機(jī)狀態(tài)150µA、睡眠狀態(tài)5µA)，能夠提供長(zhǎng)達(dá)10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間，并消除了SRAM (BBSRAM) 需要后備電池、可靠性不足、功能限制、以及系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜性等問(wèn)題。

　　FM22L16包括一個(gè)低電壓監(jiān)控器，當(dāng)電源電壓低于臨界閾值時(shí)，便會(huì)阻隔對(duì)存儲(chǔ)器陣列的訪問(wèn)，防止存儲(chǔ)器在這種狀況下出現(xiàn)意外訪問(wèn)和數(shù)據(jù)損失。FM22L16 還具有軟件控制的寫入保護(hù)功能，為存儲(chǔ)器陣列內(nèi) 8 個(gè)相同大小的模塊的每一個(gè)提供單獨(dú)的寫入保護(hù)。

　　FM22L16的操作與其它RAM器件相似，可以用作標(biāo)準(zhǔn)SRAM的直接替代器件。通過(guò)CE或簡(jiǎn)單地改變地址，便可以觸發(fā)讀寫循環(huán)。