v-nand 文章進(jìn)入 v-nand技術(shù)社區(qū)

美光科技交付業(yè)界首款QLC NAND固態(tài)硬盤

　　美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開始供貨。美光? 5210 ION 固態(tài)硬盤在美光 2018年分析師和投資者大會(huì)上首次亮相，面向之前由硬盤驅(qū)動(dòng)器 (HDD) 提供服務(wù)的細(xì)分市場(chǎng)，可提供高出三層單元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固態(tài)硬盤的推出，奠定了美光在實(shí)現(xiàn)更高容量和更低成本方面的領(lǐng)導(dǎo)者地位，可以滿足人工智能、大數(shù)據(jù)、商業(yè)智能、內(nèi)容傳輸和數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)對(duì)讀取密集型且性能敏感的云存儲(chǔ)的需求?！　‰S著工作負(fù)載的演變以滿足對(duì)于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的
關(guān)鍵字：美光 NAND

韓國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)銷售額將在2020年減少78億美元

　　當(dāng)前，不論DRAM還是NAND Flash等存儲(chǔ)器，中國(guó)市場(chǎng)基本上100%依賴進(jìn)口，這使得產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求也最為迫切。因此，現(xiàn)階段在政府的支持下，除了紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)在武漢建設(shè)NAND Flash工廠，預(yù)計(jì)2018年下半年量產(chǎn)之外，其他包括安徽合肥、福建晉江也有團(tuán)隊(duì)在進(jìn)行DRAM研發(fā)，這使得未來幾年，中國(guó)生產(chǎn)存儲(chǔ)就會(huì)逐漸進(jìn)入市場(chǎng)。　　對(duì)此，韓國(guó)企業(yè)也開始關(guān)注中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的加入。韓國(guó)預(yù)測(cè)，在2022年時(shí)會(huì)因?yàn)橹袊?guó)競(jìng)爭(zhēng)的影響，韓國(guó)企業(yè)將減少78億美元的存儲(chǔ)器的銷售金額。　　根據(jù)韓國(guó)媒體《et
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND

內(nèi)存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價(jià)潮并沒有來

　　根據(jù)Gartner的報(bào)告顯示，在過去的2017年中，三星已經(jīng)成功取代英特爾，搶下了全球最大芯片制造商的寶座。要知道，英特爾從1992年就一直占據(jù)著這一寶座，如今被三星超越實(shí)在是無奈，因?yàn)闆]有人能預(yù)料到這兩年內(nèi)存市場(chǎng)會(huì)如此強(qiáng)勁。　　　　也許大家都快忘記了，兩年前8GB的內(nèi)存條價(jià)格還不到200元，然后8GB內(nèi)存條的價(jià)格一路上漲到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大關(guān)，用了幾年的二手內(nèi)存條都還能大賺一筆。內(nèi)存價(jià)格的飆升也帶動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長(zhǎng)，其中三星獲益匪淺，
關(guān)鍵字： NAND DRAM

2017年全球十大半導(dǎo)體廠排名：三星首次登頂

　　IHS Markit研究指出，2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)收達(dá)到4291億美元，與2016年相較成長(zhǎng)了21.7%，年成長(zhǎng)率創(chuàng)下近14年新高。而三星也借著53.6%的年成長(zhǎng)率，取代蟬連25年的英特爾成為2017年全球最大半導(dǎo)體廠商。　　在前20大半導(dǎo)體廠商中，SK海力士(SK Hynix)的營(yíng)收成長(zhǎng)幅度最大，較2016年成長(zhǎng)81.2%;美光科技(Micron)居次，營(yíng)收較2016年成長(zhǎng)了79.7%。對(duì)此，IHS Markit半導(dǎo)體供應(yīng)鏈分析師Teevens表示，強(qiáng)勁的需求以及價(jià)格上漲，是企業(yè)營(yíng)收大
關(guān)鍵字：三星 NAND

我國(guó)首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn)

　　位于武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。　　目前，我國(guó)通用存儲(chǔ)器基本全部依賴進(jìn)口，國(guó)家存儲(chǔ)器基地于2017年成功研發(fā)我國(guó)首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團(tuán)隊(duì)歷時(shí)2年自主研發(fā)的芯片，是我國(guó)在制造工藝上最接近國(guó)際高端水平的主流芯片，有望使我國(guó)進(jìn)入全球存儲(chǔ)芯片第
關(guān)鍵字： NAND 存儲(chǔ)器

14張圖看懂半導(dǎo)體工藝演進(jìn)對(duì)DRAM、邏輯器件、NAND的影響

DRAM工藝尺寸的縮減正在面臨基本的物理限制，目前還有沒有明確的解決方案，由于印刷需求的推動(dòng)，DRAM的清洗復(fù)雜度也在增加。
關(guān)鍵字： DRAM NAND

中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模快速增長(zhǎng) 加快邁向中高端

　　近年來，全球信息技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)入密集發(fā)生期，呈現(xiàn)多方向、寬前沿、集群式等特征，有望引發(fā)產(chǎn)業(yè)格局重大調(diào)整。這有助于我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)打破因核心關(guān)鍵技術(shù)缺失帶來的低端鎖定，加快邁向全球價(jià)值鏈中高端，迎來從跟跑到并跑乃至領(lǐng)跑的歷史契機(jī)。　　工業(yè)和信息化部副部長(zhǎng)羅文8日在深圳舉行的全國(guó)電子信息行業(yè)工作座談會(huì)上透露，2017年我國(guó)規(guī)模以上電子信息產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達(dá)18.5萬億元，手機(jī)、計(jì)算機(jī)和彩電產(chǎn)量穩(wěn)居全球第一，在通信設(shè)備、互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域涌現(xiàn)了一批具有全球競(jìng)爭(zhēng)力的龍頭企業(yè)。　　據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《電子信息制造業(yè)發(fā)展
關(guān)鍵字： AMOLED NAND

2018年內(nèi)存芯片收入有望實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄增長(zhǎng)

　　全球半導(dǎo)體行業(yè)在2017年創(chuàng)下了10年以來的最好成績(jī)，年收入比2016年增長(zhǎng)了22%，達(dá)到4291億美元。　　這是根據(jù)英國(guó)分析公司IHS Markit的新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)得出的，HIS認(rèn)為市場(chǎng)對(duì)內(nèi)存芯片處理能力需求的大幅增加歸因于新興應(yīng)用如大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)和機(jī)器學(xué)習(xí)。　　這一需求的增長(zhǎng)使得三星電子作為全球領(lǐng)先芯片制造商占據(jù)第一位置，領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾，而英特爾已經(jīng)占據(jù)第一的位置有25年之久。2017年，三星的收入增長(zhǎng)了54%。　　IHS表示，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片的銷售總額增長(zhǎng)了77%，而閃存芯片
關(guān)鍵字：內(nèi)存 NAND

中美貿(mào)易戰(zhàn)，韓國(guó)半導(dǎo)體最受傷？

中國(guó)已經(jīng)提出,提高從美國(guó)進(jìn)口半導(dǎo)體芯片的比例,取代來自韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣的產(chǎn)品。
關(guān)鍵字： DRAM NAND

三星中國(guó)西安NAND Flash工廠二期項(xiàng)目動(dòng)工

　　在當(dāng)前NandFlash存儲(chǔ)器仍舊供不應(yīng)求，市場(chǎng)價(jià)格依舊居高不下的情況下，日前全球NandFlash存儲(chǔ)器龍頭企業(yè)的韓國(guó)三星，日前宣布將在本月底正式動(dòng)工的中國(guó)西安NandFlash存儲(chǔ)器廠的擴(kuò)建計(jì)劃，28日正式動(dòng)工，預(yù)計(jì)將在2019年完工啟用。　　據(jù)了解，該項(xiàng)總金額高達(dá)70億美元，工程期間達(dá)到3年的擴(kuò)廠計(jì)劃，是三星在2017年的8月間所宣布。目前三星西安廠的第一期產(chǎn)線是在2014年所建置，月產(chǎn)能為12萬片。如今，新的產(chǎn)線動(dòng)工建置，未來完成之后將可再為三星增加每月20萬片的產(chǎn)能。　　只是，該新的
關(guān)鍵字：三星 NAND

存儲(chǔ)器/嵌入式存儲(chǔ)器的市場(chǎng)機(jī)會(huì)　

美光科技嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部市場(chǎng)副總裁Kris Baxter在2018年“慕尼黑上海電子展”期間，介紹了美光及多家行業(yè)分析師對(duì)存儲(chǔ)器尤其是嵌入式存儲(chǔ)器市場(chǎng)的預(yù)測(cè)，重點(diǎn)是DRAM和NAND在汽車和工業(yè)領(lǐng)域的趨勢(shì)。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM NAND 汽車攝像頭 201804

美光科技宣布推出適用于旗艦級(jí)智能手機(jī)的尖端移動(dòng)3D NAND解決方案

　　美光科技有限公司今日宣布推出三種全新 64 層第二代 3D NAND 存儲(chǔ)產(chǎn)品，這三種產(chǎn)品均支持高速通用閃存存儲(chǔ) (UFS) 2.1 標(biāo)準(zhǔn)。全新美光移動(dòng) 3D NAND 產(chǎn)品提供 256GB、128GB 和 64GB 三種容量選擇。　　該全新移動(dòng)解決方案基于美光業(yè)界領(lǐng)先的三級(jí)單元 (TLC) 3D NAND 技術(shù)，
關(guān)鍵字：美光 NAND

春節(jié)不停工，武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地要在今年實(shí)現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)？

　　打造萬億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群,推動(dòng)武漢經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展。春節(jié)闔家團(tuán)圓之時(shí),仍有大量建設(shè)者、生產(chǎn)者堅(jiān)守崗位,為城市發(fā)展貢獻(xiàn)“加速度”。過年期間,分布在譽(yù)為“黃金大道”的8公里左嶺大道上的多個(gè)重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目上,有超過2000多人堅(jiān)守崗位過大年,光谷“芯片—顯示—智能終端”萬億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群正在“加速度”中加快鍛造。　　在國(guó)家存儲(chǔ)器基地,有600多人在建設(shè)工地上忙碌。據(jù)了解,目前,他們正在進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND

空氣產(chǎn)品公司將為三星電子西安第二座3D V-NAND芯片廠供氣

　　全球領(lǐng)先的工業(yè)氣體供應(yīng)商——空氣產(chǎn)品公司 (Air Products，紐約證券交易所代碼：APD) 今天宣布將為三星電子位于西安市的第二座半導(dǎo)體工廠供應(yīng)工業(yè)氣體?！　∥挥谖靼哺咝录夹g(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項(xiàng)目之一，也是中國(guó)最先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤、移動(dòng)設(shè)備和其它消費(fèi)電子產(chǎn)品?！　】諝猱a(chǎn)品公司西安工廠自2014年起開始服務(wù)于這一項(xiàng)目，目前運(yùn)作兩座大型空氣分離裝置、一座氫氣生產(chǎn)裝
關(guān)鍵字：三星 V-NAND

買個(gè)32G內(nèi)存的手機(jī)為啥只有20幾個(gè)G？看完你就懂了

　　現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲(chǔ)介質(zhì)，就是各類移動(dòng)終端及手機(jī)的主要存儲(chǔ)介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲(chǔ)芯片的實(shí)際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢?　　我們總是在說手機(jī)內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲(chǔ)的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲(chǔ)介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機(jī)興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級(jí)版,他的結(jié)構(gòu)如下：　　　　我們接觸到的16G、32G等手機(jī)，為何實(shí)際
關(guān)鍵字： eMMC NAND