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直流和脈沖電鍍Cu互連線的性能比較

  • 針對(duì)先進(jìn)納米Cu互連技術(shù)的要求，比較了直流和脈沖兩種電鍍條件下Cu互連線的性能以及電阻率、織構(gòu)系數(shù)、晶粒大小和表面粗糙度的變化。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在相同電流密度條件下，脈沖電鍍所得cu鍍層電阻率較低，表面粗糙度較小，表面晶粒尺寸和晶粒密度較大，而直流電鍍所得鍍層(111)晶面的擇優(yōu)程度優(yōu)于脈沖。在超大規(guī)模集成電路Cu互連技術(shù)中，脈沖電鍍將有良好的研究應(yīng)用前景。
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集成電路Cu互連線的XRD研究

  • 對(duì)硫酸鹽體系中電鍍得到的Cu鍍層，使用XRD研究不同電沉積條件、不同襯底和不同厚度鍍層的織構(gòu)情況和擇優(yōu)取向。對(duì)比了直流電鍍和脈沖電鍍?cè)谟刑砑觿┖蜔o添加劑條件下的織構(gòu)情況。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，對(duì)于在各種條件下獲得的lμm Cu鍍層，均呈現(xiàn)(111)晶面擇優(yōu)，這樣的鍍層在集成電路Cu互連線中有較好的抗電遷移性能。
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互連線介紹

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