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集成電路Cu互連線的XRD研究

  • 對硫酸鹽體系中電鍍得到的Cu鍍層，使用XRD研究不同電沉積條件、不同襯底和不同厚度鍍層的織構情況和擇優(yōu)取向。對比了直流電鍍和脈沖電鍍在有添加劑和無添加劑條件下的織構情況。實驗結果表明，對于在各種條件下獲得的lμm Cu鍍層，均呈現(xiàn)(111)晶面擇優(yōu)，這樣的鍍層在集成電路Cu互連線中有較好的抗電遷移性能。
  • 關鍵字： XRD  集成電路  互連線    

WO3摻雜NiO的氣敏性能研究

  • 　　0 引 言 　　NiO作為一種P型半導體材料，因其具有穩(wěn)定而較寬的帶隙在電池材料、催化劑、氣敏材料等方面有著廣泛的應用。以NiO為基體材料制作的氣敏元件雖然具有響應一恢復快，穩(wěn)定性比較好等優(yōu)點，但與N型半導體SnO，ZnO等氣敏材料相比，NiO的氣體靈敏度較低，這主要是因為NiO為空穴導電，吸附可燃氣體后空穴減少，電阻增大，而NiO材料本身的電阻又比較高。因此，不斷改善提高NiO的氣敏性能使其具有實用性是當前研究的重點所在。本文利用水熱法制備NiO對其進行不同質(zhì)量分數(shù)的WO3摻雜，研究了摻雜后NiO
  • 關鍵字： NiO  氣敏  WO3  半導體  材料  XRD  
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