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低壓超級(jí)接面結(jié)構(gòu)優(yōu)化MOSFET性能

  • 采用超級(jí)接面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不僅可克服現(xiàn)有功率MOSFET結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)，亦能達(dá)到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性，確保在兼顧 ...
  • 關(guān)鍵字： 低壓  接面結(jié)構(gòu)  優(yōu)化MOSFET  
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優(yōu)化mosfet介紹

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