低噪聲放大器 文章 進(jìn)入低噪聲放大器技術(shù)社區(qū)
低噪聲放大器的兩種設(shè)計(jì)方法
- 低噪聲放大器是射頻收發(fā)機(jī)的一個(gè)重要組成部分,也是射頻電路設(shè)計(jì)中的難點(diǎn)。在此先對(duì)晶體管ATF-54143做了定性分析,根據(jù)定性分析以及實(shí)際需求,闡述了射頻低噪聲放大器設(shè)計(jì)與仿真的兩種方法。一種是以最佳噪聲系數(shù)為目標(biāo)的設(shè)計(jì)方法;另一種是以噪聲系數(shù)為主兼顧增益目標(biāo)的設(shè)計(jì)方法。該方法詳盡且數(shù)據(jù)準(zhǔn)確真實(shí),其仿真結(jié)果均符合預(yù)定的設(shè)計(jì)要求。
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寬帶低噪聲放大器ADS仿真與設(shè)計(jì)
- 介紹一種X波段寬帶低噪聲放大器(LNA)的設(shè)計(jì)。該放大器選用NEC公司的低噪聲放大管NE3210S01(HJFET),采用微帶阻抗變換型匹配結(jié)構(gòu)和兩級(jí)級(jí)聯(lián)的方式,利用ADS軟件進(jìn)行設(shè)計(jì)、優(yōu)化和仿真。最后設(shè)計(jì)的放大器在10~13 GHz范圍內(nèi)增益為25.4 dB+0.3 dB,噪聲系數(shù)小于1.8 dB,輸入駐波比小于2,輸出駐波比小于1.6。該放大器達(dá)到了預(yù)定的技術(shù)指標(biāo),性能良好。
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三級(jí)級(jí)聯(lián)的低噪聲放大器的設(shè)計(jì)
- 0 引言 在現(xiàn)代雷達(dá)接收機(jī)中,應(yīng)用最廣的結(jié)構(gòu)是超外差結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中,單片系統(tǒng)往往需要片外濾波器去除鏡像信號(hào),例如SAW濾波器,因而給系統(tǒng)的集成度帶來影響。為了達(dá)到一定的鏡像抑制比,而又不使用片外濾波
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一種接收前端三級(jí)低噪聲放大器的設(shè)計(jì)
- 針對(duì)單片雷達(dá)接收機(jī)中對(duì)低噪聲放大器(LNA)的要求,采用CMOS O.18μm工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)三級(jí)級(jí)聯(lián)的鏡像抑制低噪聲放大器。通過在低噪聲放大器中接入限波濾波器,實(shí)現(xiàn)對(duì)鏡像信號(hào)的衰減,從而減小了后端混頻器電路的設(shè)計(jì)難度。在ADS中對(duì)設(shè)計(jì)的放大器仿真,其結(jié)果為:最大供電電壓為5 V情況下,信號(hào)頻段為3.O~3.2 GHz,中頻輸出為225 MHz,功率增益≥31 dB,噪聲系數(shù)(FN)≤O.5 dB,1 dB點(diǎn)的輸入/輸出功率分別為-19.5 dBm和11.5 dBm,對(duì)鏡像信號(hào)的抑制度達(dá)22 dB。
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基于3GHz CMOS低噪聲放大器優(yōu)化設(shè)計(jì)
- 摘 要: 基于0.18 μm CMOS工藝,采用共源共柵源極負(fù)反饋結(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)了一種3 GHz低噪聲放大器電路。從阻抗匹配及噪聲優(yōu)化的角度分析了電路的性能,提出了相應(yīng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。仿真結(jié)果表明,該放大器具有良好的性能
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低噪聲放大器介紹
低噪聲放大器-低噪聲放大器
低噪聲放大器-正文 噪聲系數(shù)很低的放大器。一般用作各類無線電接收機(jī)的高頻或中頻前置放大器,以及高靈敏度電子探測(cè)設(shè)備的放大電路。
在放大微弱信號(hào)的場(chǎng)合,放大器自身的噪聲對(duì)信號(hào)的干擾可能很嚴(yán)重,因此希望減小這種噪聲,以提高輸出的信噪比。由放大器所引起的信噪比惡化程度通常用噪聲系數(shù)F(見放大)來表示
或用取對(duì)數(shù)值的噪聲系數(shù)FN表示
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