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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 低導通電阻

東芝推出具有低導通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結構可實現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開始提供測試樣品，供客戶評估。當典型SiC MOSFET的體二極管在反向傳導操作[3]期間雙極通電時，其可靠性會因導通電阻增加而降低。東芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結構來緩解上述問題，但如若將SBD布置在芯片上
  • 關鍵字： 東芝  低導通電阻  牽引逆變器  SiC MOSFET  

低導通電阻SiC器件在大電流高功率應用中的優(yōu)越性

  • 眾所周知，SiC作為一種性能優(yōu)異的第三代半導體材料，因其高擊穿場強、寬禁帶寬度、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應用中使用，可有效突破傳統Si基半導體材料的物理極限。目前使用最廣泛的SiC開關器件是SiC MOSFET，與傳統Si IGBT相比，SiC材料的優(yōu)異性能配合MOSFET單極開關的特點可以在大功率應用中實現高頻、高效、高能量密度、低成本的目標，從而推動電力電子系統的發(fā)展。圖1: 碳化硅器件應用范圍示意圖1圖2: 典型應用場景對應的功率等級2從技術上講，
  • 關鍵字： 低導通電阻  SiC  大電流  高功率  

東芝推出40V電壓功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列

  • 　　東芝公司旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比東芝傳統的U-MOS VI-H系列，新系列減少了76%的導通電阻，實現業(yè)界頂級的低導通電阻[1]。此外，它還減少了Qoss[2]的增加，從而提高開關電源的效率。樣品出貨即日起啟動。 　　注： 　　·[1]截至2014年11月4日。東芝調查。 　　·[2]Qoss：輸出電荷。 　　主要特性 　　&m
  • 關鍵字： 東芝  MOSFET  低導通電阻  
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低導通電阻介紹

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