EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
低耗電
低耗電 文章 進(jìn)入低耗電技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積電率先推出28納米低耗電平臺(tái)
- 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司今(17)日宣布領(lǐng)先專業(yè)積體電路制造服務(wù)領(lǐng)域,成功開發(fā)28納米低耗電技術(shù),同時(shí)配合雙/三閘極氧化層(dual/triple gate oxide)工藝,將32納米工藝所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride,SiON))/多晶硅(poly Si)材料延伸至28納米工藝,使得半導(dǎo)體可以持續(xù)往先進(jìn)工藝技術(shù)推進(jìn)。此一工藝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)還包括高密度與低Vcc_min六電晶體靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)元件、低漏電電晶體、已通過(guò)驗(yàn)證的傳統(tǒng)類比/射頻/電子熔線(analog
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 SRAM 28納米 低耗電 氮氧化硅 多晶硅
共2條 1/1 1 |
低耗電介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條低耗電!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)低耗電的理解,并與今后在此搜索低耗電的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)低耗電的理解,并與今后在此搜索低耗電的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473