臺(tái)積電率先推出28納米低耗電平臺(tái)

　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司今(17)日宣布領(lǐng)先專業(yè)積體電路制造服務(wù)領(lǐng)域，成功開(kāi)發(fā)28納米低耗電技術(shù)，同時(shí)配合雙/三閘極氧化層(dual/triple gate oxide)工藝，將32納米工藝所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON))/多晶硅(poly Si)材料延伸至28納米工藝，使得半導(dǎo)體可以持續(xù)往先進(jìn)工藝技術(shù)推進(jìn)。此一工藝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)還包括高密度與低Vcc_min六電晶體靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)元件、低漏電電晶體、已通過(guò)驗(yàn)證的傳統(tǒng)類比/射頻/電子熔線(analog/RF/electrical fuse) 元件、低電阻-電容延遲(low-RC)的低介電質(zhì)銅導(dǎo)線(Cu-low-k interconnect)。此項(xiàng)成果已于今天在日本京都所舉行的2009超大型積體電路技術(shù)及元件技術(shù)研討會(huì)(2009 Symposia on VLSI Technology and Circuits)上發(fā)表。

　　此外，此篇論文中指出，使用28納米雙/三閘極氧化層系統(tǒng)單晶片技術(shù)所產(chǎn)出的64Mb SRAM，良率十分優(yōu)異。此一SRAM的元件尺寸為0.127平方微米，相當(dāng)具有競(jìng)爭(zhēng)力，晶片閘密度(raw gate density)高達(dá)每平方公厘390萬(wàn)個(gè)閘。在SRAM Vcc_min、電子熔線及類比領(lǐng)域的優(yōu)異表現(xiàn)足以證明此工藝技術(shù)的可制造性(manufacturability)。

　　此一領(lǐng)先的工藝技術(shù)再次展現(xiàn)臺(tái)積公司在低耗電、高效能工藝采用氮氧化硅/多晶硅材料，提供客戶深具成本效益解決方案的承諾及能力。在這篇論文中，藉由應(yīng)變硅( straining engineering) 與極具競(jìng)爭(zhēng)力的氧化層厚度最佳化的氮氧化硅材料所產(chǎn)出的電晶體，與前一世代的45納米工藝技術(shù)相較，不但速度提高25~40%，操作功耗減少30~50%，還擁有低待機(jī)及低操作功耗的優(yōu)勢(shì)。

　　臺(tái)積公司研究暨發(fā)展副總經(jīng)理孫元成博士表示，此一進(jìn)展要?dú)w功于客戶們和臺(tái)積公司的密切合作?？蛻粜枰褂?8納米技術(shù)來(lái)突破半導(dǎo)體應(yīng)用的新范疇，而我們?cè)趧?chuàng)新之路上的不斷精進(jìn)，將有助于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新者所設(shè)計(jì)的最先進(jìn)應(yīng)用得到落實(shí)。

　　臺(tái)積公司早在2008年9月即宣布將28納米工藝定位為全世代(Full Node)工藝，提供客戶使用具能源效率的高效能及低耗電工藝技術(shù)，并預(yù)計(jì)于2010年初開(kāi)始生產(chǎn)。臺(tái)積公司預(yù)計(jì)依照原定時(shí)程提供客戶28納米技術(shù)平臺(tái)。