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ASML：數(shù)值孔徑0.75超高NA EUV光刻設(shè)備2030年登場(chǎng)

據(jù)日本媒體報(bào)導(dǎo)，光刻機(jī)設(shè)備龍頭阿斯麥（ASML）執(zhí)行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時(shí)imec年度盛會(huì)ITF World 2023表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要2030年開發(fā)數(shù)值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術(shù)，滿足半導(dǎo)體發(fā)展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來EUV技術(shù)越來越成熟，半導(dǎo)體制程微縮至2020年前后三年，以超過50%幅度前進(jìn)，不過速度可能會(huì)在2030年放緩。故ASML計(jì)劃年底前發(fā)表首臺(tái)商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設(shè)備（原型制作），
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傳俄羅斯2028年量產(chǎn)7nm光刻設(shè)備

據(jù)外媒Tomshardware報(bào)導(dǎo)，一家俄羅斯研究單位正在研究開發(fā)自己的半導(dǎo)體微影光刻設(shè)備，預(yù)計(jì)該設(shè)備可以被用于7納米制程芯片的生產(chǎn)上。整個(gè)計(jì)劃預(yù)計(jì)在2028年完成，而且一旦完成之后，其設(shè)備可能會(huì)比ASML的Twinscan NXT:2000i效能更高。值得一提的是，ASML開發(fā)Twinscan NXT:2000i的時(shí)間超過了10年。報(bào)導(dǎo)表示，俄羅斯政府推出了一項(xiàng)國(guó)家計(jì)劃，到2030年開發(fā)出自己的28納米制程技術(shù)，并盡可能利用外國(guó)芯片進(jìn)行逆向工程取得技術(shù)，同時(shí)也要培養(yǎng)本土人才從事國(guó)產(chǎn)芯片的生產(chǎn)工作。根
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遼沈地區(qū)半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勢(shì)崛起

　　半導(dǎo)體裝備制造產(chǎn)業(yè)是國(guó)民經(jīng)濟(jì)的戰(zhàn)略性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，10余年間，在國(guó)家增強(qiáng)自主創(chuàng)新能力和振興東北老工業(yè)基地等戰(zhàn)略方針的引導(dǎo)下，遼寧半導(dǎo)體裝備制造產(chǎn)業(yè)以沈陽為中心實(shí)現(xiàn)了從無到有、從小到大、由弱到強(qiáng)的歷史性轉(zhuǎn)變：建成了國(guó)內(nèi)首個(gè)IC裝備控制軟件平臺(tái)和IC裝備專業(yè)孵化器，攻克了多個(gè)制約我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)工藝和關(guān)鍵技術(shù)，創(chuàng)造了300余項(xiàng)科研成果，成功研制出6-12英寸等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、勻膠顯影、單片濕法刻蝕和凸點(diǎn)封裝噴涂膠等系列整機(jī)設(shè)備以及300mm IC生產(chǎn)線自動(dòng)物料搬運(yùn)系統(tǒng)、直接驅(qū)動(dòng)真
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芯碩精密機(jī)械落戶天津開發(fā)區(qū)

　　天津芯碩精密機(jī)械有限公司落戶簽字儀式暨老廠房改造開工儀式在天津開發(fā)區(qū)舉行。天津開發(fā)區(qū)(南港工業(yè)區(qū))管委會(huì)黨組書記、管委會(huì)主任何樹山，工信部電子信息司副司長(zhǎng)刁石京，芯碩半導(dǎo)體有限責(zé)任公司董事長(zhǎng)劉鈞，濱海新區(qū)副區(qū)長(zhǎng)郭景平，天津開發(fā)區(qū)(南港工業(yè)區(qū))管委會(huì)副主任郎東等領(lǐng)導(dǎo)出席儀式。何樹山代表開發(fā)區(qū)管委會(huì)，對(duì)天津芯碩精密機(jī)械有限公司落戶開發(fā)區(qū)，對(duì)開發(fā)區(qū)舊廠房升級(jí)改造工程啟動(dòng)表示熱烈祝賀。
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挺進(jìn)20nm：臺(tái)積電2011年將開始在Fab12工廠裝用ASML產(chǎn)EUV光刻設(shè)備

　　據(jù)臺(tái)積電公司負(fù)責(zé)技術(shù)研發(fā)的副總裁蔣尚義表示，2011年臺(tái)積電從荷蘭ASML公司訂購(gòu)的極紫外(EUV，波長(zhǎng)13.5nm)光刻設(shè)備將運(yùn)抵廠內(nèi)，這批訂購(gòu)的設(shè)備將為臺(tái)積電公司2013年將公司制程能力升級(jí)到20nm級(jí)別鋪平道路.蔣尚義是在本月24日舉辦的臺(tái)積電技術(shù)論壇會(huì)議上說出這番話的,他同時(shí)還指出EUV光刻技術(shù)要想投入商用還需要更加成熟，另外他還透露這批訂購(gòu)的EUV光刻工具每小時(shí)能刻制100片晶圓。　　臺(tái)積電首批EUV光刻設(shè)備將被安裝在300mm Fab12工廠內(nèi)，而臺(tái)積電未來的研發(fā)重點(diǎn)則將放在2
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32nm制程用沉浸光刻設(shè)備客戶需求量劇增：ASML公司召回先前遭辭退員工

　　據(jù)荷蘭ASML公司高管透露，由于最近半導(dǎo)體廠商對(duì)沉浸式光刻設(shè)備的需求量劇增，著名光刻廠商ASML公司最近重新召回了先前辭退的700名員工，同時(shí)還招聘了數(shù)百名新員工，這名高管表示ASML公司還需要再增加300名員工，同時(shí)還預(yù)計(jì)公司將可保證各個(gè)客戶對(duì)光刻設(shè)備的訂單需求。　　由于消費(fèi)電子設(shè)備以及PC市場(chǎng)對(duì)高密度芯片的需求在不斷上升，ASML公司的高管表示他預(yù)計(jì)他的客戶們?cè)诮衩鲀赡瓴粫?huì)碰上所生產(chǎn)的芯片產(chǎn)品供過于求的情況。　　據(jù)ASML公司今年一季度公布的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，這家光刻廠商今年一季度末的N
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臺(tái)內(nèi)存芯片廠商制程轉(zhuǎn)換計(jì)劃傳因設(shè)備交貨期拖延而更變

　　據(jù)內(nèi)存業(yè)者透露，由于沉浸式光刻設(shè)備的交貨日程有所延長(zhǎng)，因此南亞，華亞(南亞與鎂光的合資廠)兩家內(nèi)存芯片制造商今年轉(zhuǎn)向50nm級(jí)別制程節(jié)點(diǎn)的計(jì)劃有可能會(huì)后延.而另一家臺(tái)系內(nèi)存芯片廠商瑞晶(力晶與爾必達(dá)的合資廠)計(jì)劃于今年二月份開始的光刻設(shè)備導(dǎo)入計(jì)劃也有可能會(huì)后延兩個(gè)月左右的時(shí)間。　　而南亞和華亞則澄清稱其購(gòu)買的沉浸式光刻設(shè)備將以分期到貨的形式進(jìn)場(chǎng)，并宣稱此前進(jìn)場(chǎng)的設(shè)備已經(jīng)按原計(jì)劃完成了進(jìn)貨。　　按南亞和華亞的計(jì)劃，他們將于年底前完成向鎂光50nm制程技術(shù)的轉(zhuǎn)換工作，并將于下半年開始試產(chǎn)40nm
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EUV蓄勢(shì)待發(fā) Carl Zeiss向ASML出貨EUV光學(xué)系統(tǒng)

　　德國(guó)Carl Zeiss SMT AG已向半導(dǎo)體設(shè)備商ASML出貨首臺(tái)EUV光學(xué)系統(tǒng)。該公司已使EUV光學(xué)系統(tǒng)達(dá)到了生產(chǎn)要求。　　光學(xué)系統(tǒng)是EUV設(shè)備的核心模塊，首臺(tái)EUV設(shè)備預(yù)計(jì)將在2010年出貨。幾周前，美國(guó)公司Cymer完成了EUV光源的開發(fā)，EUV光源是EUV光刻設(shè)備另一個(gè)關(guān)鍵模塊。該技術(shù)將使芯片制造商進(jìn)一步縮小芯片的特征尺寸，提高生產(chǎn)效率。　　據(jù)Carl Zeiss 介紹，目前出貨的光學(xué)系統(tǒng)已經(jīng)研發(fā)了約15年。
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