光掩膜刻蝕 文章 進(jìn)入光掩膜刻蝕技術(shù)社區(qū)

應(yīng)用材料公司推出關(guān)鍵性45納米光掩膜刻蝕技術(shù)設(shè)備

• 　　近日，應(yīng)用材料公司宣布推出先進(jìn)的Applied Centura® TetraTMIII掩膜刻蝕設(shè)備，它是目前唯一可以提供45納米光掩膜刻蝕所需要的至關(guān)重要的納米制造技術(shù)系統(tǒng)。Tetra III通過控制石英掩膜把刻槽深度控制在10 Å以內(nèi)，同時(shí)把臨界尺寸損失減小到10nm以下，使客戶可以在最重要的器件層交替使用相移掩膜和強(qiáng)有力的光學(xué)臨近修正技術(shù)。該系統(tǒng)為基于鉻、石英、氮氧硅鉬等多種新材料的下一代光刻技術(shù)應(yīng)用提供無差錯(cuò)、高產(chǎn)能的刻蝕工藝。 　　應(yīng)用材料公司資深副總裁，刻蝕、清潔、前道
• 關(guān)鍵字： 45納米  光掩膜刻蝕  應(yīng)用材料公司