應(yīng)用材料公司推出關(guān)鍵性45納米光掩膜刻蝕技術(shù)設(shè)備

　　近日，應(yīng)用材料公司宣布推出先進的Applied Centura® TetraTMIII掩膜刻蝕設(shè)備，它是目前唯一可以提供45納米光掩膜刻蝕所需要的至關(guān)重要的納米制造技術(shù)系統(tǒng)。Tetra III通過控制石英掩膜把刻槽深度控制在10 Å以內(nèi)，同時把臨界尺寸損失減小到10nm以下，使客戶可以在最重要的器件層交替使用相移掩膜和強有力的光學(xué)臨近修正技術(shù)。該系統(tǒng)為基于鉻、石英、氮氧硅鉬等多種新材料的下一代光刻技術(shù)應(yīng)用提供無差錯、高產(chǎn)能的刻蝕工藝。

　　應(yīng)用材料公司資深副總裁，刻蝕、清潔、前道和離子注入產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Tom St. Dennis表示：“Tetra III 系統(tǒng)在先進的二元掩膜及相移掩膜應(yīng)用中的出色表現(xiàn)是幫助客戶實現(xiàn)45nm及更小技術(shù)節(jié)點掩膜產(chǎn)品的關(guān)鍵。隨著業(yè)界開發(fā)出一些潛在的新一代光刻解決方案，相關(guān)應(yīng)用也以前所未有的速度不斷涌現(xiàn)。Tetra III系統(tǒng)能夠勝任所有光刻應(yīng)用，在各種不同的光掩膜材料上完成刻蝕工作。”