內(nèi)存開關(guān) 文章 進(jìn)入內(nèi)存開關(guān)技術(shù)社區(qū)
Rambus新技術(shù):0.5納秒極速內(nèi)存開關(guān)
- Rambus聲名狼藉,不過在技術(shù)方面的確是有自己的一套。在東京召開的2011年超大規(guī)模集成電路討論會(huì)上,Rambus就宣布了一種突破性的快速加電、低功耗時(shí)鐘技術(shù),有望為內(nèi)存設(shè)備帶來全新的面貌。配合40nm低功耗CMOS工藝,這種新技術(shù)能夠讓內(nèi)存在0.5納秒的時(shí)間內(nèi)完成從零功耗待機(jī)狀態(tài)到每個(gè)差分鏈接5+Gbps高速數(shù)據(jù)傳輸工作狀態(tài)的轉(zhuǎn)換,同時(shí)運(yùn)行功耗僅僅2.4mW/Gb/s,也就是說全速工作的時(shí)候每秒也不過12mW。
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