Rambus新技術：0.5納秒極速內存開關

　　Rambus聲名狼藉，不過在技術方面的確是有自己的一套。在東京召開的2011年超大規(guī)模集成電路討論會上，Rambus就宣布了一種突破性的快速加電、低功耗時鐘技術，有望為內存設備帶來全新的面貌。配合40nm低功耗CMOS工藝，這種新技術能夠讓內存在0.5納秒的時間內完成從零功耗待機狀態(tài)到每個差分鏈接5+Gbps高速數據傳輸工作狀態(tài)的轉換，同時運行功耗僅僅2.4mW/Gb/s，也就是說全速工作的時候每秒也不過12mW。

　　為了改進服務器和移動系統(tǒng)的能效，人們一直在尋求降低內存子系統(tǒng)功耗的方法。服務器應用中面臨的主要挑戰(zhàn)是需要快速切入和切出最低功耗狀態(tài)，而移動系統(tǒng)雖然支持多種電源狀態(tài)，但是低功耗運行通常需要復雜的電源狀態(tài)電路來配合完成。

　　Rambus聲稱，他們研發(fā)的新技術能夠避免這些弊端，實現內存子系統(tǒng)極快速地開關，而且可與SoC與內存界面、SoC與SoC連接相整合，從而縮短訪問延遲、簡化系統(tǒng)設計、降低整體系統(tǒng)功耗。