內(nèi)存芯片 文章 進(jìn)入內(nèi)存芯片技術(shù)社區(qū)
留給DDR2芯片的“蜜月期”只剩6個月
- 據(jù)摩根斯坦利公司的分析師Frank Wang稱,DDR2芯片的價格未來將繼續(xù)上漲,并很有可能會超過DDR3芯片的售價,不過漲價期應(yīng)該不會超過6個月,而DDR3芯片則將在這段時間內(nèi)漸成市場主流。據(jù)Wang分析,驅(qū)動最近DDR2芯片價格上漲的主要因素是各大內(nèi)存芯片廠商紛紛將產(chǎn)能轉(zhuǎn)而投放到DDR3芯片的生產(chǎn)上。三星,海力士,爾必達(dá)以及鎂光幾家大廠均在積極抬高DDR3芯片的產(chǎn)能,同時壓低DDR2芯片的產(chǎn)能。 盡管如此,如果中國大陸國慶節(jié)期間DDR2芯片的市場需求不如預(yù)期的強(qiáng)勢,那么DDR2芯片的價格仍有
- 關(guān)鍵字: DDR2 內(nèi)存芯片 DDR3
爾必達(dá)宣布40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片開發(fā)完成
- 爾必達(dá)公司近日宣布已經(jīng)完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片的研發(fā)工作,今年11月份這種芯片將進(jìn)入送樣階段,年底前則可實現(xiàn)正式批量供貨。據(jù)爾必達(dá)公司表示,這種新芯片的面積更小,總體良品率 方面也比過去的50nm制程DDR3產(chǎn)品提升44%,而1.6Gbps數(shù)據(jù)傳輸率的產(chǎn)品良率更可達(dá)100%。 比較舊有的50nm制程產(chǎn)品,新40nm 2Gb DDR3內(nèi)存驅(qū)動電流只有前者的2/3左右,支持1.2V/1.35V的較低工作電壓,同時也可以在DDR3標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓下工作。這樣這種芯片的
- 關(guān)鍵字: 爾必達(dá) 40nm SDRAM 內(nèi)存芯片
三星對半導(dǎo)體業(yè)前景謹(jǐn)慎
- 全球最大內(nèi)存芯片制造商三星電子(Samsung Electronics)近日表示,盡管半導(dǎo)體業(yè)已由2年的低迷谷底重振,公司對前景仍抱持謹(jǐn)慎態(tài)度。 三星電子半導(dǎo)體部門總裁權(quán)五鉉(Kwon Oh-hyun)在中國臺灣臺北舉辦的移動解決方案年度論壇上表示,由于政府鼎力相助,此行業(yè)現(xiàn)發(fā)展情況優(yōu)于公司當(dāng)初預(yù)期。然而他指出:“盡管如此,我們抱持的觀點仍偏向謹(jǐn)慎,預(yù)估歐美感恩節(jié)假期時,將是銷售情況的轉(zhuǎn)折點。” 感恩節(jié)假期在美國落在11月,加拿大則為10月。 權(quán)五鉉另表示,目
- 關(guān)鍵字: 三星 內(nèi)存芯片 LCD
三星對半導(dǎo)體銷售前景仍謹(jǐn)慎 拒談收購Hynix
- 全球最大內(nèi)存芯片制造商三星電子(Samsung Electronics)近日表示,盡管半導(dǎo)體業(yè)已由2年的低迷谷底重振,公司對前景仍抱持謹(jǐn)慎態(tài)度。 三星電子半導(dǎo)體部門總裁權(quán)五鉉(Kwon Oh-hyun)在中國臺灣臺北舉辦的移動解決方案年度論壇上表示,由于政府鼎力相助,此行業(yè)現(xiàn)發(fā)展情況優(yōu)于公司當(dāng)初預(yù)期。然而他指出:“盡管如此,我們抱持的觀點仍偏向謹(jǐn)慎,預(yù)估歐美感恩節(jié)假期時,將是銷售情況的轉(zhuǎn)折點。” 感恩節(jié)假期在美國落在11月,加拿大則為10月。 權(quán)五鉉另表示,目
- 關(guān)鍵字: Samsung 內(nèi)存芯片 DRAM
三星將增產(chǎn)DDR3內(nèi)存芯片
- 三星公司半導(dǎo)體事業(yè)部總裁Oh-Hyun Kwon透露,三星公司正在逐步增加其DDR3內(nèi)存芯片的產(chǎn)能,因此預(yù)計最近市場上出現(xiàn)的內(nèi)存芯片供應(yīng)緊張的局面很快便會有所緩解。據(jù)Kwon表示,最近市場對DDR3內(nèi)存芯片的需求漲勢很旺,甚至超過了三星的預(yù)期,為了滿足市場的需求,三星準(zhǔn)備增大DDR3芯片的產(chǎn)能,另外Kwon還宣稱三星目前已經(jīng)在使用40nm制程技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存芯片產(chǎn)品,而明年40nm制程則將成為三星的主力制程。 另外Kwon還表示三星將主要通過制程技術(shù)升級等技術(shù)升級手段來達(dá)到增加產(chǎn)能的目的,他并稱建造
- 關(guān)鍵字: 三星 內(nèi)存芯片 DDR3
韓國工業(yè)巨頭欲收購海力士公司大部分股份
- 北京時間9月22日消息,據(jù)國外媒體報道,韓國工業(yè)巨頭曉星(Hyosung)周二稱,公司已向海力士半導(dǎo)體發(fā)出了收購要約,欲購入后者的大部分股份。 曉星的發(fā)言人稱,公司已經(jīng)向海力士的九家大股東發(fā)出了收購函。海力士的股東包括韓國外匯銀行與韓國發(fā)展銀行。 該發(fā)言人拒絕透露收購可能涉及的金額。 海力士周二收于22050韓元。以此計算,其大股東所持公司28%股份,價值約為3.65萬億韓元,合30.3億美元。 而韓國外匯銀行的一位官員在周二早些時候稱,該行計劃在今年11月同收購方討論此次交易
- 關(guān)鍵字: 海力士 內(nèi)存芯片
南亞科技將在10月將內(nèi)存芯片價格提高20%
- 9月21日消息,據(jù)彭博社報道,臺灣最大的電腦內(nèi)存芯片制造公司南亞科技日前表示,因為原材料供應(yīng)緊缺,公司將于10月上半月將內(nèi)存芯片價格提高20%。此前公司在9月18日剛剛宣布將價格上調(diào)10%。 南亞科技發(fā)言人白培霖(Pai Pei-lin)在電話中表示:“我們的一些客戶抱怨說,我們的價格太高了,同時我們又不能完成所有的訂單,因為目前原材料供應(yīng)十分緊缺。我們將同那些接受我們價格的客戶展開談判和溝通。” 該芯片制造商計劃在連續(xù)兩個月抬升價格后,在10月上半月再次提高售價1
- 關(guān)鍵字: 南亞科技 內(nèi)存芯片
分析稱三星電子逆勢增長 市值即將超巨頭英特爾
- 據(jù)國外媒體報道,2002年當(dāng)三星電子市值超過索尼的時候就引起了市場震驚,這標(biāo)志著三星電子成為全球電子行業(yè)真正的主要成員,從那時開始三星的品牌形象就開始持續(xù)改進(jìn)。目前,這個世界排名第二的韓國電子巨頭的市值將要趕上美國芯片巨頭英特爾。 分析師預(yù)計三星電子市值將在一年左右時間超過英特爾。因為自從始于雷曼兄弟倒閉的全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)席卷全球以來,三星電子經(jīng)歷了個非常成功的一年。截至去年年底,三星電子在全球內(nèi)存芯片市場的份額從21%上升至了27%。三星電子同時還是全球最大的電視制造商以及排名第二的手機(jī)制造商。三
- 關(guān)鍵字: 三星 內(nèi)存芯片 液晶面板
分析稱三星電子逆勢增長 市值即將超巨頭英特爾
- 據(jù)國外媒體報道,2002年當(dāng)三星電子市值超過索尼的時候就引起了市場震驚,這標(biāo)志著三星電子成為全球電子行業(yè)真正的主要成員,從那時開始三星的品牌形象就開始持續(xù)改進(jìn)。目前,這個世界排名第二的韓國電子巨頭的市值將要趕上美國芯片巨頭英特爾。 分析師預(yù)計三星電子市值將在一年左右時間超過英特爾。因為自從始于雷曼兄弟倒閉的全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)席卷全球以來,三星電子經(jīng)歷了個非常成功的一年。截至去年年底,三星電子在全球內(nèi)存芯片市場的份額從21%上升至了27%。三星電子同時還是全球最大的電視制造商以及排名第二的手機(jī)制造商。三
- 關(guān)鍵字: 三星 內(nèi)存芯片 手機(jī)
8月份內(nèi)存芯片價格繼續(xù)上揚 達(dá)到盈利水平
- 自今年初芯片價格達(dá)到數(shù)年來的最低點后開始上揚,8月份繼續(xù)上揚,終于達(dá)到盈利水平。 Gartner報告指出,8月1Gb DDR3芯片合同價格上漲了18.9%,為每個1.58美元;老款芯片DDR2合同價格上漲了13.7%,為每個1.45美元。 內(nèi)存芯片價格上漲正值PC廠商生產(chǎn)并向全球市場發(fā)送PC之際。對許多國家而言,返校季節(jié)即將來臨,許多學(xué)生會攜新筆記本返校或其父母購買臺式機(jī)。因返校季節(jié)成為銷售旺季,會使內(nèi)存市場價格上揚,有時價格會一直上揚至12月底,年底將是圣誕銷售旺季。 今年微軟Wi
- 關(guān)鍵字: 奇夢達(dá) 內(nèi)存芯片 DDR3 DDR2
臺灣旺宏計劃斥資333億元興建兩座12寸芯片廠
- 據(jù)臺灣媒體報道,臺灣旺宏計劃投資1600億新臺幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠,此舉將導(dǎo)致茂德、力晶等內(nèi)存芯片公司向旺宏賣廠求現(xiàn)的美夢破碎,恐促使DRAM(動態(tài)隨機(jī)存儲器)廠雪上加霜。 旺宏是上半年臺灣唯一獲利的內(nèi)存芯片廠,積極擴(kuò)廠后,更將坐穩(wěn)獲利龍頭寶座。 旺宏投資1600億新臺幣興建兩座12寸芯片廠的計劃,已向臺灣當(dāng)局遞交文件,申請進(jìn)駐中科后里園區(qū)。第一期建廠預(yù)計年底前動工,2011年初投產(chǎn),兩座新廠規(guī)劃產(chǎn)能約8萬片,并導(dǎo)入60納米以下最新技術(shù)。 為配合旺宏建廠計
- 關(guān)鍵字: 力晶 DRAM 內(nèi)存芯片
Q2全球DRAM內(nèi)存市場銷售收入環(huán)比增長34%
- 據(jù)市場研究公司iSuppli稱,2009年第二季度全球DRAM內(nèi)存芯片的銷售收入達(dá)45億美元,比今年第一季度的34億美元增長了34%。今年第一季度全球DRAM內(nèi)存芯片的銷售收入比去年第四季度下降了19%。不過,與去年同期相比,第二季度的DRAM內(nèi)存芯片的銷售收入下降了33.5%。 日本內(nèi)存芯片供應(yīng)商Elpida Memory第二季度的DRAM內(nèi)存銷售收入是7.45億美元,比第一季度的4.79億美元增長了50%,是所有DRAM內(nèi)存芯片廠商中增長率最高的。第二季度DRAM內(nèi)存芯片的平均銷售價格比第一
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM 內(nèi)存芯片 DDR3
三星東芝稱美司法部閃存反壟斷調(diào)查已結(jié)束
- 據(jù)國外媒體報道,全球最大的兩家閃存芯片制造商,三星電子與東芝公司今日表示,美國司法部針對兩家公司展開的反壟斷調(diào)查已經(jīng)結(jié)束。此次反壟斷調(diào)查歷時2年。 三星電子的一位女發(fā)言人今日宣布,美國司法部已通知三星電子,對公司的相關(guān)調(diào)查已告結(jié)束。東芝美國分公司則在7月28日收到了有關(guān)通知。但美國司法部女發(fā)言人塔拉莫娜拒絕對此發(fā)表評論。 美國司法部對閃存芯片制造商的反壟斷調(diào)查始于2007年9月,調(diào)查源于司法部懷疑半導(dǎo)體行業(yè)存在限定價格的可能。另一項獨立的調(diào)查則在4家電腦內(nèi)存芯片公司中展開,這其中也包括三星
- 關(guān)鍵字: 三星 閃存芯片 內(nèi)存芯片
爾必達(dá):計劃明年轉(zhuǎn)向40nm制程技術(shù)
- 據(jù)透露,為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面,日本爾必達(dá)內(nèi)存公司計劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術(shù),而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前,爾必達(dá)將采 用50nm制程技術(shù)作為過渡性的制程技術(shù)。目前,爾必達(dá)公司剛剛在65nm制程技術(shù)基礎(chǔ)上開發(fā)出了60nm制程技術(shù)。不過爾必達(dá)曾計劃直接 跳過50nm制程進(jìn)入40nm階段,但由于受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響未能成行。 目前韓國三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存芯片,而到40nm制程技術(shù)成熟時,三星還將推出4F2技術(shù)。 美國鎂光公司則已經(jīng)在110nm制
- 關(guān)鍵字: 爾必達(dá) 40nm 內(nèi)存芯片 50nm
收購奇夢達(dá)中國研發(fā)中心 浪潮探路芯片懸念
- 浪潮集團(tuán)3000萬元收購奇夢達(dá)中國研發(fā)中心,使逐漸沉寂的浪潮軟件再次引發(fā)業(yè)界關(guān)注。 全球第三大、歐洲最大的內(nèi)存芯片廠德國奇夢達(dá)身背巨債,使得浪潮集團(tuán)獲得了存儲器的核心技術(shù),在浪潮集團(tuán)董事長孫丕恕看來,3000萬元的購價對于過億的研發(fā)資產(chǎn)來說,是一筆劃算的交易。 實際上,今年4月初,浪潮軟件連續(xù)暴漲,市場就已廣泛流傳浪潮集團(tuán)并購德國奇夢達(dá)的說法。 不過,業(yè)界人士提出,面對全球芯片市場一片蕭條、企業(yè)紛紛虧損的現(xiàn)狀;面對一條生產(chǎn)線動輒數(shù)百億元的投資,浪潮集團(tuán)廉價買到的核心技術(shù)能否得到市場化
- 關(guān)鍵字: 奇夢達(dá) 內(nèi)存芯片 存儲器 半導(dǎo)體制造
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473