近日，紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡稱“武漢新芯”），一家領先的非易失性存儲供應商，宣布其采用50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產品系列XM25QWxxC全線量產，產品容量覆蓋16Mb到256Mb。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。
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武漢新芯 SPI NOR Flash 50nm
近日，紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司，宣布推出業(yè)界先進的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。
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武漢新芯 50nm SPI NOR Flash
對于內存廠商來說，已經(jīng)過去的2009年就像是一場噩夢。而2010年情況則大有好轉，可是今年內存廠商卻遇上了芯片供貨緊缺，芯片產品投產準備時間加長，產品價格居高不下的問題。在本周三舉辦的Memcon會議上，一位分析師將今年內存廠商遇到的這些問題歸結為由內存廠商自身的問題而引起，不過著名光刻設備制造商ASML則也在被指責之列。
ObjectiveAnalysis市調公司的分析師JimHandy認為內存市場的上揚期恐怕不久便會結束，他并稱2011年中期或2012年間內存芯片市場將再度陷入供過于求的局面
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ASML 內存芯片 50nm
美光公司今天宣布了一款新品50nm工藝2Gb DDR2內存顆粒產品，依靠其小尺寸、高密度和低功耗特色，專門針對Intel在6月份Computex上宣布的Atom平板機平臺(代號Oak Trail)。Intel Oak Trail平臺包括Atom Z6xx系列處理器和Whitney Point單芯片處理器，在“x86手機芯”Moorestown的基礎上，加入了多種PC平臺接口，可以支持標準的Windows 7、Chrome、Meego操作系統(tǒng)，專門針對平板機和超便攜上網(wǎng)本市場。
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美光 50nm Atom
日本爾必達公司最近完成了采用銅互連技術的50nm制程 2Gb密度GDDR5顯存芯片的開發(fā)，這款產品據(jù)稱是在爾必達設在德國慕尼黑的設計中心開發(fā)完成的。爾必達表示公司將于今年7月份開始試銷這種50nm 2Gb GDDR5顯存樣片，而這款產品的量產則預計會定在今年7-9月份的時間段。
據(jù)爾必達表示，其設在廣島的芯片廠將負責這款2Gb GDDR5顯存芯片的生產，另外爾必達還透露公司1Gb密度的GDDR3/GDDR5顯存芯片產品已經(jīng)外包給了臺灣華邦公司代工。
GDDR顯存的主要用途是圖形圖像處理
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爾必達 50nm 顯存
Intel計劃停產采用50nm制程NAND閃存芯片制作的1.8/2.5寸SSD硬盤產品，自今年第二季度開始，Intel公司將僅向客戶提供采用 34nm制程MLC NAND閃存芯片制作的Postville40-160GB容量SSD硬盤產品，另外到今年第四季度，Intel還將推出80-600GB容量的 Postville SSD硬盤。
今年第四季度上市的新款Postville系列產品將采用25nm制程閃存芯片制作，容量則有80/160/300/600GB幾種，型號為X25-M;另外還將推出80GB容
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Intel 50nm SSD
據(jù)透露，臺灣內存芯片廠商南亞計劃增加2010年的資本支出預算，將其由原計劃的190億新臺幣提升到200億新臺幣(6.27億美元)，據(jù)悉這筆增加的 預算將用于改進制程和擴展產能之用。南亞計劃將其12英寸廠產能由目前的每月3萬片提升到5-6萬片。如果將其合資公司華亞(由鎂光和南亞合資成立)的產能計算在內，那么南亞12英寸總產能將達到每月11.5-12.5萬片，這個數(shù)字已達到了全球內存芯片廠總產能的10%左右。
目前華亞12英寸廠的產能有一半是向南亞供貨，另一半則為鎂光公司供貨，這家合資公司的月產能大
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南亞科 內存芯片 50nm
韓國Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內存芯片產品通過了Intel的認證，Hynix并稱將開始批量生產這種芯片產品，另外他們還宣稱面向服務器應用的Registered DIMM產品的驗證工作也將于年底前順利完成。
這次通過驗證的Hynix產品有2Gb DDR3 SDRAM內存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內存條)，驗證時的運行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。
Hynix宣稱
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Hynix 40nm SDRAM 50nm
據(jù)透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達內存公司計劃明年內轉向使用40nm制程技術，而在40nm制程技術完全成熟之前，爾必達將采 用50nm制程技術作為過渡性的制程技術。目前，爾必達公司剛剛在65nm制程技術基礎上開發(fā)出了60nm制程技術。不過爾必達曾計劃直接 跳過50nm制程進入40nm階段，但由于受到經(jīng)濟危機的影響未能成行。
目前韓國三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術生產內存芯片，而到40nm制程技術成熟時，三星還將推出4F2技術。
美國鎂光公司則已經(jīng)在110nm制
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爾必達 40nm 內存芯片 50nm
爾必達和Numonyx已經(jīng)推遲它們的代工計劃達6個月。NOR閃存大廠Numonyx原本與爾必達簽約的第一個代工訂單，計劃在2009年中期開始量產，如今要推遲到2010年的上半年。
盡管近期DRAM價格回升及日本政府為爾必達注資，可是對于存儲器制造商爾必達最大的問題是如何生存下來。顯然爾必達還不可能如奇夢達同樣的命運，退出存儲器。但是日本存儲器制造商需要經(jīng)濟剌激，因為從長遠看能生存下來可能是個奇跡。
前些時候爾必達CEO己經(jīng)把爾必達的生存問題提高到日本國家的利益上。但是仍有人質疑為什么要支持
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爾必達 DRAM 50nm 40nm
8月7日消息 據(jù)透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達內存公司計劃明年內轉向使用40nm制程技術，而在40nm制程技術完全成熟之前，爾必達將采 用50nm制程技術作為過渡性的制程技術。目前，爾必達公司剛剛在65nm制程技術基礎上開發(fā)出了60nm制程技術。不過爾必達曾計劃直接 跳過50nm制程進入40nm階段，但由于受到經(jīng)濟危機的影響未能成行。
目前韓國三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術生產內存芯片，而到40nm制程技術成熟時，三星還將推出4F2技術。
美國鎂光公司則已經(jīng)
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爾必達 DRAM 40nm 50nm 60nm
美光科技股份有限公司近日宣布生產出業(yè)內首個DDR3低負載雙列直插內存模塊(LRDIMM)，并將于今年秋季開始推出16GB版本的樣品。通過減少服務器內存總線上的負載，美光的LRDIMM可用以支持更高的數(shù)據(jù)頻率并顯著增加內存容量。
新的LRDIMM將采用美光先進的1.35v 2Gb 50nm 的DDR3內存芯片制造。由于芯片的高密度和業(yè)內領先的小尺寸，使美光能夠輕松并具成本效益地增加服務器模塊的容量。美光的2Gb 50nm DDR3產品目前正在進行客戶認證，將很快進行大量生產。
如今多數(shù)中端企
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美光 LRDIMM DDR3 50nm
50nm介紹
納米（符號為nm）是長度單位，原稱毫微米，就是10^-9米（10億分之一米），即10^-6毫米（100萬分之一毫米）。如同厘米、分米和米一樣，是長度的度量單位。相當于4倍原子大小，比單個細菌的長度還要小。
隨著蘋果(Apple)iPhone及更高階iPod將陸續(xù)登場，可望帶動NAND型快閃存儲器(Flash)市場龐大商機，吸引國際NAND Flash大廠摩拳擦掌，其中，三星電子(Samsu [
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