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技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件(一)

  • 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
  • 關(guān)鍵字: SiC  功率元件  GaN  導(dǎo)通電阻  

IGBT功率元件的應(yīng)用及保護(hù)技術(shù)

  • 1 引言  隨著半導(dǎo)體元件制造工藝的完善和制造技術(shù)的提高,半導(dǎo)體功率元件正朝著大電流、高電壓、快通斷、 ...
  • 關(guān)鍵字: IGBT  功率元件  

SiC國際會議:從功率元件到傳感器和集成電路

  •   作為新一代功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注的SiC國際會議“ICSCRM2011”于2011年9月11~16日(當(dāng)?shù)貢r間)在美國俄亥俄州克利夫蘭舉行。會上圍繞著SiC基板(晶圓)、元件工藝、各種元件以及相關(guān)電路應(yīng)用等題目進(jìn)行了成果發(fā)表。雖然以SiC制功率元件相關(guān)成果為中心,但發(fā)表的內(nèi)容其實(shí)涉及多個方面。比如,還有采用SiC制成的傳感器及可支持高溫工作的集成電路,以及SiC材料金剛石和在SiC基板上形成石墨烯等成果發(fā)表。  
  • 關(guān)鍵字: 功率元件  傳感器  

HEV系統(tǒng)的主要部件:功率元件解析

  • 功率元件是最重要的部件就功能和成本而言,功率元件在逆變器中是最為重要的部件。要想降低成本,如何使用...
  • 關(guān)鍵字: 功率元件  開關(guān)  IGBT  電容  電流  
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功率元件介紹

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