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高壓柵極驅(qū)動(dòng)器的功率耗散和散熱分析，一文get√

高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路（HVIC）是專為半橋開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的高邊和低邊柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，驅(qū)動(dòng)高壓、高速M(fèi)OSFET 而設(shè)計(jì)?！陡邏簴艠O驅(qū)動(dòng)器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態(tài)功率損耗分析、動(dòng)態(tài)功率損耗分析、柵極驅(qū)動(dòng)損耗分析等方面進(jìn)行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內(nèi)部框圖。主要功能模塊包括輸入級(jí)、欠壓鎖定保護(hù)、電平轉(zhuǎn)換器和輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)。柵極驅(qū)動(dòng)器損耗
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器功率耗散

在電子電路設(shè)計(jì)中，散熱設(shè)計(jì)是非常重要的一項(xiàng)指標(biāo)。但在很多設(shè)計(jì)環(huán)境下，空間的狹小程度限制了散熱功能設(shè)計(jì)與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當(dāng)中這種情況尤
關(guān)鍵字：大功率電 MOSFET 功率耗散

　　在將一個(gè)運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)成為全新應(yīng)用時(shí)經(jīng)常被問(wèn)到的兩個(gè)問(wèn)題是：　　1.他的功率耗散“典型值”是多少?在我的第一個(gè)帖子進(jìn)行了介紹。　　2.他的功率耗散“最大值”是多少? 　　應(yīng)該在目標(biāo)電路中評(píng)估運(yùn)算放大器的最大功率。我們假定放大器運(yùn)行的第一種情況是這樣的。我們將最低負(fù)載電阻RL加載到輸出上，正如OPA 316電氣特性表中所列出的那樣。這個(gè)表格中列出的值為2 k?(紅色橢圓中的值)。　　　　當(dāng)VS和 IQ為最大值，并且輸出
關(guān)鍵字：運(yùn)算放大器功率耗散

摘要：本文討論了UCSP封裝的功率耗散能力和其相對(duì)于其他封裝是如何限制輸出功率的。關(guān)鍵詞：UCSP封裝；功率耗散 UCSP 封裝UCSP(晶片級(jí)封裝)是一種封裝技術(shù)，它消除了傳統(tǒng)的密封集成電路(IC)的塑料封裝，直接將硅片焊接到PCB上，節(jié)省了PCB空間。但也犧牲了傳統(tǒng)封裝的一些優(yōu)點(diǎn)，尤其是散熱能力。大多數(shù)音頻放大器的封裝都帶有一個(gè)裸露焊盤，使IC底層直接連接到散熱器或PCB地層。這種設(shè)計(jì)為IC到周圍環(huán)境提供了一條低熱阻的導(dǎo)熱通道，避免器件過(guò)熱。使用UCSP封裝，IC通過(guò)底部焊球直接焊接到PCB上，因而
關(guān)鍵字： 0706_A 雜志_設(shè)計(jì)天地模擬技術(shù) 電源技術(shù) UCSP封裝功率耗散封裝

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