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IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM

• 　　IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM測試芯片，并稱該芯片是半導體業(yè)界面積最小、密度最高、速度最快的片上動態(tài)存儲器。 　　IBM表示，使用SOI技術可使芯片性能提高30%，功耗降低40%。IBM還表示，基于SOI技術的嵌入式DRAM每個存儲單元只有一個單管，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。 　　IBM的這款32nm SOI嵌入式DRAM周期時間可以小于2納秒，與同類SRAM相比待機功耗降低4倍，軟錯誤率降低1000多倍，功耗也大大減少。 　　IBM希望將3
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