首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 化學(xué)氣相沉積

利用縫隙抑制型鎢填充接觸區(qū)工藝來降低良率損失

  • 在早先的技術(shù)節(jié)點中，由于器件尺寸較大，能采用成核及平整化化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)進行鎢(W)填充。如今，由于插塞處的超小開口很容易發(fā)生懸垂現(xiàn)象，因此薄膜表面均勻生長的共形階段可能在填充完成前就關(guān)閉或夾斷，從而留下孔洞。
  • 關(guān)鍵字： 化學(xué)氣相沉積  良率  化學(xué)機械拋光  
共1條 1/1 1

化學(xué)氣相沉積介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條化學(xué)氣相沉積!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對化學(xué)氣相沉積的理解，并與今后在此搜索化學(xué)氣相沉積的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473