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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 化學(xué)氣相沉積

利用縫隙抑制型鎢填充接觸區(qū)工藝來降低良率損失

  • 在早先的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中，由于器件尺寸較大，能采用成核及平整化化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)進(jìn)行鎢(W)填充。如今，由于插塞處的超小開口很容易發(fā)生懸垂現(xiàn)象，因此薄膜表面均勻生長的共形階段可能在填充完成前就關(guān)閉或夾斷，從而留下孔洞。
  • 關(guān)鍵字： 化學(xué)氣相沉積  良率  化學(xué)機(jī)械拋光  
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化學(xué)氣相沉積介紹

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