國際整流器公司（ir） 文章 進(jìn)入國際整流器公司（ir）技術(shù)社區(qū)
國際整流器公司推出寬輸入、單路輸出同步降壓式穩(wěn)壓器
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出多功能寬輸入、單路輸出同步降壓式穩(wěn)壓器，適用于高密度、高性能數(shù)據(jù)中心及消費(fèi)應(yīng)用。 IR38xx SupIRBuck 負(fù)載點(diǎn) (POL) 穩(wěn)壓器系列將IR基準(zhǔn)HEXFETR 溝道技術(shù)MOSFET及一個(gè)高效能同步降壓控制IC集成到5mm x 6mm小型功率方形扁平無引腳(Power QFN) 封裝，與分立式解決方案相比減少了70%占板面積，同時(shí)比同類單片式IC提高8%至10%的滿載效率。 IR 亞太區(qū)高級(jí)銷售總監(jiān)
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IR推出600V單通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列IRS212x
- 功率半導(dǎo)體和管理方案廠商—國際整流器公司(InternationalRectifier，簡稱IR)推出一系列新一代600V高壓集成電路(HVIC)。這個(gè)600V單通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列IRS212x適用于低、中和高壓馬達(dá)控制應(yīng)用以及不同電路拓?fù)?，包括三相轉(zhuǎn)換器、H-橋，和其它采用MOS柵極功率組件的拓?fù)洹? IRS212x系列IC提供最高20V柵極電壓，典型接通電流為290mA，而典型關(guān)閉電流則為600mA，并接受3.3V、5V和15V的輸入邏輯水平。其它整合保護(hù)功能包括欠壓鎖定保護(hù)、過電流偵測保護(hù)，
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IR推出輸入濾波功能的600V穩(wěn)固型三相集成電路
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列 IRS2336xD 保護(hù)式600V三相柵極驅(qū)動(dòng)IC。這些產(chǎn)品集成了自舉功能，可用于電器電機(jī)控制、伺服驅(qū)動(dòng)、微型轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)和各種通用應(yīng)用。 IR高級(jí)銷售副總裁曾海邦先生表示：“IR最新推出的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器是滿足工業(yè)級(jí)耐用度三相應(yīng)用的理想選擇。這些新型IC采用了IR專有的負(fù)電壓免疫性電路，有助于這些器件在大電流切換和短路情況下耐受非常大的負(fù)電壓瞬變影響。此外，集成的自舉功能可減小電路占板面積，而先進(jìn)的輸入濾波功
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IR 亮相2007年中國國際高新技術(shù)成果交易會(huì)
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)宣布將于2007年10月12日至17日，在深圳會(huì)展中心舉行的中國國際高新技術(shù)成果交易會(huì)上展出其最新的D類音頻應(yīng)用功率管理解決方案。 IR的展臺(tái)位于美國廳，展位號(hào)是8GR08，將展示具有保護(hù)式脈寬調(diào)制 (PWM) 開關(guān)的新型集成音頻驅(qū)動(dòng)器IC --IRS2092，及IR數(shù)字音頻MOSFET全套補(bǔ)充設(shè)備。該芯片組的目標(biāo)市場為服務(wù)家庭影院、家庭立體聲音響、有源揚(yáng)聲器、樂器以
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IR推出最新IRAUDAMP4音頻功放參考設(shè)計(jì)
- 國際整流器公司(InternationalRectifier，簡稱IR)近日推出D類音頻功率放大器參考設(shè)計(jì)IRAUDAMP4。與典型的電路設(shè)計(jì)相比，新型參考設(shè)計(jì)可幫助設(shè)計(jì)人員為適用于家庭影院應(yīng)用、專業(yè)放大器、樂器和汽車娛樂系統(tǒng)的所有中壓范圍的中高功率放大器節(jié)省50%的PCB占板面積。 IR亞太區(qū)高級(jí)銷售副總裁曾海邦表示：“這種參考設(shè)計(jì)可在60W、4Ω時(shí)提供0.004%的THD+N?！? 與IR的200V數(shù)字音頻驅(qū)動(dòng)ICIRS20955和IRF6645DirectFET數(shù)字音頻MOSFET配合使用的IR
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采用IRS2541的全電壓輸入LED驅(qū)動(dòng)
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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IR照明HVIC被《電子設(shè)計(jì)應(yīng)用》評為最佳電源控制產(chǎn)品
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布，公司的IRS2166D高壓照明IC被中國行業(yè)領(lǐng)先媒體《電子設(shè)計(jì)應(yīng)用》雜志評為最佳電源控制產(chǎn)品。 IRS2166是600V全集成保護(hù)式控制IC，適用于集成了功率因數(shù)校正功能（PFC）的先進(jìn)的熒光燈鎮(zhèn)流器。該IC把PFC、鎮(zhèn)流器控制和半橋驅(qū)動(dòng)器集成在單一的單片組件上，可在臨界導(dǎo)通模式下工作，功率因數(shù)（PF）高達(dá)0.99，總諧波失真（THD）低于10%，精確的DC總線調(diào)節(jié)在2.5%的容差范圍之內(nèi)。 《
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IR推出低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的200V IC
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列適用于低壓及中壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的200V IC，這些應(yīng)用包括電動(dòng)工具、低壓伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、電動(dòng)園藝設(shè)備，以及像起重機(jī)、高爾夫球車和滑板車的電動(dòng)車。 IRS200x系列半橋、高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)IC系列是為低壓 (24V 、36V 和48V ) 及中壓 (60V 、80V 和100V ) 電機(jī)
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IR推出新型XPhase芯片組增加N+1冗余和熱插拔功能
- IR在其XPhase控制IC和相位IC系列中加入一個(gè)新型芯片組，它針對可擴(kuò)展多相位、交錯(cuò)型降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器的需要，加入了N+1 冗余和熱插拔能力和一系列保護(hù)功能。該芯片組包含IR3510 XPhase控制IC，以及匹配的IR3086A和IR3088A相位IC，適用于驅(qū)動(dòng)容錯(cuò)式應(yīng)用中的高可用性CPU和服務(wù)器。這些應(yīng)用一般都需要?jiǎng)討B(tài)插入特性。 IR3510控制IC采用簡單高效的同步降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，利用輸入MOSFET 實(shí)現(xiàn)熱插拔能力，并利用輸出MOSFET實(shí)現(xiàn)ORing功能，以確保整個(gè)系統(tǒng)不受短路
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IR新型多功能PWM控制IC可滿足12V至75V的電壓輸入
- 國際整流器公司推出用于輸入電壓高至 75V的高性能同步 DC-DC 降壓應(yīng)用的IR3651 同步 PWM 控制 IC。IR3651 的可編程開關(guān)頻率最高可達(dá) 400kHz，適用于電信及基站電源應(yīng)用、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器、汽車和工業(yè)控制等多種應(yīng)用。 IR 亞太區(qū)高級(jí)銷售總監(jiān)曾海邦表示：“IR3651 采用2個(gè) IR DirectFET MOSFET，能在沒有散熱器和氣流的
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IR授權(quán)使用DirectFET封裝技術(shù)
- IR近日與兩家總部分別位于不同地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商達(dá)成協(xié)議，授權(quán)他們使用 IR 的 DirectFET 封裝技術(shù)。 DirectFET MOSFET封裝技術(shù)基于突破性的雙面冷卻技術(shù)，在2002年推出后迅速成為了先進(jìn)計(jì)算、消費(fèi)及通信應(yīng)用解決安裝散熱受限問題的首選解決方案。自從該技術(shù)推出后，DirectFET 便成為 IR 公司歷史上增長速度最快的產(chǎn)品。由于 DirecFET 封裝能改善電流密度和性能，I
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IR新型多功能PWM控制IC可滿足12V至75V的電壓輸入
- 國際整流器公司推出用于輸入電壓高至 75V的高性能同步 DC-DC 降壓應(yīng)用的IR3651 同步 PWM 控制 IC。IR3651 的可編程開關(guān)頻率最高可達(dá) 400kHz，適用于電信及基站電源應(yīng)用、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器、汽車和工業(yè)控制等多種應(yīng)用。 IR 亞太區(qū)高級(jí)銷售總監(jiān)曾海邦表示：“IR3651 采用2個(gè) IR DirectFET MOSFET，能在沒有散熱器和氣流的
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IR授權(quán)使用DirectFET封裝技術(shù)
- IR近日與兩家總部分別位于不同地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商達(dá)成協(xié)議，授權(quán)他們使用 IR 的 DirectFET 封裝技術(shù)。 DirectFET MOSFET封裝技術(shù)基于突破性的雙面冷卻技術(shù)，在2002年推出后迅速成為了先進(jìn)計(jì)算、消費(fèi)及通信應(yīng)用解決安裝散熱受限問題的首選解決方案。自從該技術(shù)推出后，DirectFET 便成為 IR 公司歷史上增長速度最快的產(chǎn)品。由于 DirecFET 封裝能改善電流密度和性能，I
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