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IR為工業(yè)應(yīng)用推出大罐式DirectFET MOSFET系列
- 球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應(yīng)用，包括大功率直流電機(jī)，直流/交流逆變器，以及動(dòng)態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關(guān)應(yīng)用。 全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導(dǎo)通電阻性能，從而實(shí)現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗和更理想的系統(tǒng)效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備
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IR 推出新型25V DirectFET 芯片組
- 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺(tái)式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術(shù)，還具有業(yè)界領(lǐng)先的性能指數(shù) (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關(guān)和熱特性，成為一個(gè)為高頻率 DC-DC 開
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IR 推出適用于汽車的 DirectFET 2 功率 MOSFET
- 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 今天推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅(jiān)固可靠、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝為汽車應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。 IR 的這些首款汽車用 DirecFET2 件完全不含鉛，與傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝元件相比，可降低整體系統(tǒng)級(jí)尺寸和成本，實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的性能和效率。 IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉
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IR 推出IRF6718 DirectFET MOSFET
- 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動(dòng)態(tài)ORing、熱插拔及電子保險(xiǎn)絲等DC開關(guān)應(yīng)用達(dá)到最佳效果。 IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術(shù)，提供極低的通態(tài)電阻(在10V Vgs時(shí)典型為0.5mΩ)，同時(shí)比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關(guān)旁路元件的傳導(dǎo)
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國(guó)際整流器公司授權(quán)英飛凌科技使用DirectFET®封裝技術(shù)
- 英飛凌科技股份有限公司與國(guó)際整流器公司IR宣布，英飛凌獲得國(guó)際整流器公司DirectFET?的授權(quán)許可，獲準(zhǔn)使用享有專利的先進(jìn)功率封裝技術(shù)。 DirectFET功率封裝技術(shù)適用于計(jì)算機(jī)、筆記本、通信設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的交流-直流以及直流-直流電源轉(zhuǎn)換器件，是業(yè)界一流的表面貼功率MOSFET封裝技術(shù)，在SO-8封裝尺寸或更小尺寸上進(jìn)行頂部冷卻非常有效。較之標(biāo)準(zhǔn)分立塑封，DirectFET的“金屬帽”結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)雙面冷卻，將高頻直流-直流降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力提升一倍。 英飛凌將在OptiMOS2和Opt
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IR授權(quán)使用DirectFET封裝技術(shù)
- IR近日與兩家總部分別位于不同地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商達(dá)成協(xié)議，授權(quán)他們使用 IR 的 DirectFET 封裝技術(shù)。 DirectFET MOSFET封裝技術(shù)基于突破性的雙面冷卻技術(shù)，在2002年推出后迅速成為了先進(jìn)計(jì)算、消費(fèi)及通信應(yīng)用解決安裝散熱受限問題的首選解決方案。自從該技術(shù)推出后，DirectFET 便成為 IR 公司歷史上增長(zhǎng)速度最快的產(chǎn)品。由于 DirecFET 封裝能改善電流密度和性能，I
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IR授權(quán)使用DirectFET封裝技術(shù)
- IR近日與兩家總部分別位于不同地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商達(dá)成協(xié)議，授權(quán)他們使用 IR 的 DirectFET 封裝技術(shù)。 DirectFET MOSFET封裝技術(shù)基于突破性的雙面冷卻技術(shù)，在2002年推出后迅速成為了先進(jìn)計(jì)算、消費(fèi)及通信應(yīng)用解決安裝散熱受限問題的首選解決方案。自從該技術(shù)推出后，DirectFET 便成為 IR 公司歷史上增長(zhǎng)速度最快的產(chǎn)品。由于 DirecFET 封裝能改善電流密度和性能，I
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