存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

兆易創(chuàng)新于國際存儲(chǔ)器技術(shù)會(huì)議發(fā)表論文

　　全球頂級(jí)研究人員匯聚三藩市，參加IEEE國際電子元件會(huì)議(IEDM)。斯坦福大學(xué)團(tuán)隊(duì)在會(huì)議上發(fā)表的一篇論文，正是這種洞察細(xì)節(jié)精神的體現(xiàn)。　　由IBM電子工程師出身的黃漢森教授(H.S.PhilipWong)指導(dǎo)該團(tuán)隊(duì)，在深入研究一種新型資料儲(chǔ)存技術(shù)。對(duì)于智慧手機(jī)和其他移動(dòng)設(shè)備而言，高效節(jié)能是至關(guān)重要的，因此此種資料存儲(chǔ)技術(shù)將是這些設(shè)備的理想選擇。　　這種新技術(shù)產(chǎn)品稱為電阻式存儲(chǔ)器，縮寫為RRAM。電阻式存儲(chǔ)器基于一種新型半導(dǎo)體材料，此種半導(dǎo)體材料能夠以阻止或允許通過電子流的方式，形成狀態(tài)值&l
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趙偉國：要打贏存儲(chǔ)芯片制造的“世界戰(zhàn)爭”

　　引起全球集成電路產(chǎn)業(yè)重大關(guān)注的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目，2016年12月30日正式開工。立志打造中國集成電路產(chǎn)業(yè)航母的紫光集團(tuán)入股長江存儲(chǔ)，執(zhí)掌項(xiàng)目建設(shè)，亦引人注目。　　2016年12月30日，紫光集團(tuán)董事長兼長江存儲(chǔ)董事長趙偉國接受長江日?qǐng)?bào)記者采訪時(shí)表示，參與建設(shè)國家存儲(chǔ)器基地，對(duì)于紫光集團(tuán)來說，責(zé)任和壓力很大，這是事關(guān)國家戰(zhàn)略、“使命必達(dá)”的戰(zhàn)役，也是真刀真槍的全球市場競爭。　　談項(xiàng)目：這是“中國存儲(chǔ)器航母”起航　　“國家存儲(chǔ)器基地
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國家存儲(chǔ)器基地動(dòng)土　要建3座全球最大3D NAND廠

　　傾大陸國家之力的中國長江存儲(chǔ)存儲(chǔ)器基地正式于2016年12月30日開工，而此項(xiàng)目前身為武漢新芯存儲(chǔ)器基地，在歷經(jīng)中國紫光與武漢新芯合體后，重新找地建新廠，強(qiáng)調(diào)要打造全球單座潔凈室面積最大的3DNANDFlash新廠。　　紫光集團(tuán)于2016年12月30日在大陸武漢東湖高新區(qū)舉移動(dòng)土典禮，宣布中國國家存儲(chǔ)器基地正式開工，該建設(shè)項(xiàng)目聯(lián)合紫光集團(tuán)、國家集成電路產(chǎn)業(yè)地方基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投等共同出資，項(xiàng)目總投資金額達(dá)240億美元。　　紫光集團(tuán)暨長江存儲(chǔ)董事長趙偉國趙偉國典禮中強(qiáng)調(diào)，
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正式開工長江存儲(chǔ)帶頭中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)啟航

　　今日，由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設(shè)的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目正式動(dòng)工，預(yù)計(jì) 2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個(gè)項(xiàng)目，初期計(jì)劃以先進(jìn)的3D NAND為策略產(chǎn)品。　　據(jù)悉，此次動(dòng)工建設(shè)的存儲(chǔ)器基地位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城，規(guī)劃建設(shè)3座3D NAND 生產(chǎn)工廠，1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套設(shè)施，總占地面積1968畝，預(yù)計(jì)到2020年可形成月產(chǎn)能30萬片的規(guī)模，年產(chǎn)值將超過100億美元，到2030年可提升到每月100萬
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Cypress于聯(lián)電制造的eCT嵌入式快閃存儲(chǔ)器MCU開始量產(chǎn)出貨

　　聯(lián)華電子與嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案廠商Cypress今(14日)共同宣布，在聯(lián)電制造的專有40奈米嵌入式電荷擷取(eCT)快閃存儲(chǔ)器的微電腦控制器(MCU)已量產(chǎn)出貨。此次量產(chǎn)展現(xiàn)Cypress快閃存儲(chǔ)器技術(shù)結(jié)合聯(lián)電40奈米低功耗(40LP)邏輯制程的多年合作結(jié)果。 40奈米eCT 快閃存儲(chǔ)器的尺寸僅為0.053μm2，比最接近之競爭對(duì)手的尺寸約小25%。 eCT快閃存儲(chǔ)器可滿足最嚴(yán)苛的高性能應(yīng)用設(shè)計(jì)的兩個(gè)關(guān)鍵特性，即8 nsec的隨機(jī)存取速率和
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資深工程師：選擇汽車MCU的十大考慮因素

　　微控制器(MCU)在從電機(jī)控制，到信息娛樂系統(tǒng)和車身控制等越來越寬泛的汽車應(yīng)用中提供至關(guān)重要的性能。隨著價(jià)格的下降和整固的增加，微控制器正變得越來越普及，這意味著MCU被越來越多地視為商品。盡管存在這種商品化趨勢(shì)，汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師仍然認(rèn)為不同的控制器會(huì)有很大的差異，包括各種級(jí)別的集成度和功率要求。選擇MCU通?？梢钥s減材料成本(BOM)，從而有效地降低電子控制單元(ECU)本身的價(jià)格?！　∵x擇汽車MCU時(shí)，設(shè)計(jì)工程師可以考慮以下10個(gè)重要因素，實(shí)現(xiàn)成本壓力與應(yīng)用所需的特定性能特色之間的平衡?！　?.
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存儲(chǔ)的春天 2017年存儲(chǔ)行業(yè)收入將創(chuàng)紀(jì)錄

　　根據(jù)ICInsights報(bào)道，在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲(chǔ)器市場陷入困境。無論是供應(yīng)商合并、產(chǎn)能控制還是新型應(yīng)用頻出等過去認(rèn)為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲(chǔ)器市場。個(gè)人電腦市場的低迷導(dǎo)致存儲(chǔ)器庫存過多，從而在2015年下半年出現(xiàn)了價(jià)格暴跌，2015年存儲(chǔ)器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。　　這種頹勢(shì)延續(xù)到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化，存儲(chǔ)器價(jià)格開始變得異常堅(jiān)挺，而且持續(xù)到了2016結(jié)束。但由于
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SK海力士72層3D NAND存儲(chǔ)器，傳明年領(lǐng)先全球量產(chǎn)

　　SK海力士最先進(jìn)72層3D NAND存儲(chǔ)器傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社周一引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出，SK海力士計(jì)劃于2017上半年完成芯片設(shè)計(jì)，位在利川(Icheon)的M14廠將可在下半年開始生產(chǎn)。　　若按計(jì)劃進(jìn)行，SK海力士將成為全球第一個(gè)量產(chǎn)72層3D NAND的存儲(chǔ)器廠。為因應(yīng)市場需求增溫，SK海力士上周已宣布將在韓國與中國兩地，投資3.15兆韓圜來增加DRAM與NAND存儲(chǔ)器產(chǎn)能。　　隨著微縮制程遭遇瓶頸，業(yè)者紛紛改以3D垂直方式堆疊存儲(chǔ)器做突破，但工藝技術(shù)各不相同。目前技術(shù)領(lǐng)先的三星已于
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10M存儲(chǔ)器+豐富通信接口的MCU，打造更低成本的微型打印機(jī)

　　隨著電子技術(shù)和信息化社會(huì)的發(fā)展，作為嵌入式系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)的輸出設(shè)備之一的微型打印機(jī)被廣泛應(yīng)用于生活當(dāng)中。　　基于世強(qiáng)代理的瑞薩 RZ/A1的微型打印模塊系統(tǒng)主要包括MCU、字庫芯片、熱敏機(jī)芯(加熱控制、溫度檢測、滾筒檢測、缺紙檢測、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng))、串行接口電路等?！　D：基于世強(qiáng)代理的瑞薩RZ/A1的微型打模塊系統(tǒng)框圖　　瑞薩RZ/A1系列微處理器是以ARM Cortex-A9 CPU為內(nèi)核，該CPU的時(shí)鐘頻率為400 MHz，DMIPS3為1000，擁有全球容量
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《Cortex-M0權(quán)威指南》之體系結(jié)構(gòu)---存儲(chǔ)器系統(tǒng)

　　Cortex-M0處理器為32位處理器，所以具有最大4G的尋址空間。在體系結(jié)構(gòu)上，存儲(chǔ)器空間被劃分位一系列的區(qū)域，每個(gè)區(qū)域都有推薦的用途，以提高不同設(shè)備間的可移植性。　　M0處理器內(nèi)置了各種不見，例如NVIC和一些調(diào)試部件，它們都被映射到系統(tǒng)空間的固定地址上。因此所有基于M0的設(shè)備在中斷控制和調(diào)試方面，都由相同的編程模式。這種處理有利于軟件移植，也方便調(diào)試工具提供商位M0的微控制器和片上系統(tǒng)SOC提供開發(fā)調(diào)試方案。　　Cortex-M0支持大端和小端操作，使用相應(yīng)的配置即可選擇，但已經(jīng)成型
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傳希捷與SK海力士結(jié)盟全球存儲(chǔ)器版圖將大變革？

硬盤大廠爭相與Flash廠商結(jié)盟，全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈供貨、版圖又將迎來什么樣的變化?
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莫大康：十年來全球半導(dǎo)體業(yè)改變了什么？

十年時(shí)間匆匆而過，全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)生大的改變，產(chǎn)業(yè)己趨越來越成熟，增長己顯乏力。
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IC Insights：2017年全球存儲(chǔ)器市場同比增長10%

　　在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲(chǔ)器市場陷入困境。無論是供應(yīng)商合并、產(chǎn)能控制還是新型應(yīng)用頻出等過去認(rèn)為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲(chǔ)器市場。個(gè)人電腦市場的低迷導(dǎo)致存儲(chǔ)器庫存過多，從而在2015年下半年出現(xiàn)了價(jià)格暴跌，2015年存儲(chǔ)器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。　　這種頹勢(shì)延續(xù)到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化，存儲(chǔ)器價(jià)格開始變得異常堅(jiān)挺，而且持續(xù)到了2016結(jié)束。但由于上半年跌價(jià)太狠，IC Insi
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斯坦福: 新的存儲(chǔ)器技術(shù)可能更節(jié)能

　　科學(xué)家們經(jīng)常會(huì)發(fā)現(xiàn)尚未完全理解其中因果的事物令人興趣盎然，但是對(duì)于工程師而言，此種未知奧秘卻是夢(mèng)魘。工程師的工作是將基礎(chǔ)知識(shí)轉(zhuǎn)化為實(shí)用技術(shù)，這意味著需要洞察細(xì)節(jié)?！　?2月5日，全球頂級(jí)研究人員匯聚舊金山，參加IEEE國際電子組件會(huì)議(IEDM)。斯坦福大學(xué)團(tuán)隊(duì)在會(huì)議上發(fā)表的一篇論文，正是這種洞察細(xì)節(jié)精神的體現(xiàn)?！　∮蒊BM電子工程師出身的黃漢森教授(H. S. Philip Wong)領(lǐng)導(dǎo)的該團(tuán)隊(duì)，在深入研究一種新型數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)。對(duì)于智能手機(jī)和其他移動(dòng)設(shè)備而言，高效節(jié)能
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非揮發(fā)性存儲(chǔ)器規(guī)模將超越SSD

　　NAND Flash固態(tài)硬碟(SSD)襲卷了過去10年的儲(chǔ)存技術(shù)產(chǎn)業(yè)，而非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(NVM)消除了DRAM與儲(chǔ)存硬碟間的差異，勢(shì)必掀起一波更大的革命。由微軟(Microsoft)與英特爾(Intel)所組成的Wintel聯(lián)盟，即將卷土重來，成為這波革命背后最主要的推手。 ZDNet報(bào)導(dǎo)指出，F(xiàn)lash SSD速度雖較傳統(tǒng)旋轉(zhuǎn)磁碟裝置快上許多，但兩者的I/O堆疊其實(shí)沒有太大的差異，因此Flash SSD在執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入時(shí)，仍有延遲、錯(cuò)誤等缺點(diǎn)。反觀NVM除了速度更快之外，其存儲(chǔ)器還擁有持久型儲(chǔ)存的功能
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]