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SK海力士72層3D NAND存儲器,傳明年領(lǐng)先全球量產(chǎn)

作者: 時間:2016-12-27 來源: 集微網(wǎng) 收藏

  最先進72層3D NAND傳明年開始量產(chǎn),韓聯(lián)社周一引述知情人事消息報導(dǎo)指出,計劃于2017上半年完成芯片設(shè)計,位在利川(Icheon)的M14廠將可在下半年開始生產(chǎn)。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201612/342111.htm

  若按計劃進行,將成為全球第一個量產(chǎn)72層3D NAND的廠。為因應(yīng)市場需求增溫,SK海力士上周已宣布將在韓國與中國兩地,投資3.15兆韓圜來增加DRAM與NAND產(chǎn)能。

  隨著微縮制程遭遇瓶頸,業(yè)者紛紛改以3D垂直方式堆疊存儲器做突破,但工藝技術(shù)各不相同。目前技術(shù)領(lǐng)先的三星已于2013年量產(chǎn)48層3D NAND存儲器,至于64層3D NAND芯片也將在今年底開始投產(chǎn)。

  據(jù)市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange統(tǒng)計,三星第三季NAND存儲器營收來到37.44億美元,市占率較前季進步0.3個百分點至36.6%。東芝以19.6%位居第二,Western Digital、SK海力士與美光分居三、四、五名,市占率依序為17.1%、10.4%與9.8%。



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