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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 寬禁帶半導(dǎo)體

什么是寬禁帶半導(dǎo)體？

  • 禁帶寬度和電場強度越高，器件越不容易被擊穿，耐壓可以更高；熱導(dǎo)率和熔點越高，器件越容易散熱，也更容易耐高溫；電子遷移率越高，器件的開關(guān)速度也就越快，因此可以做高頻器件。不難看出，SiC和GaN器件在高溫、高壓、高頻應(yīng)用領(lǐng)域的顯著優(yōu)勢。半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高
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力科發(fā)布更精確的寬禁帶半導(dǎo)體分析測量系統(tǒng)

  • 力科近日宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高壓光隔離探頭和功率器件測試軟件，與高精度示波器 (HDO) 結(jié)合使用時，可提供最準確的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體器件的電氣特性表征。三十多年來，工程師們一直在使用硅 (Si) 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 功率半導(dǎo)體器件來生產(chǎn)電源和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。然而，消費者需要體積更小、重量更輕的電源和系統(tǒng)，而政府要求更高的效率。寬禁帶 (WBG) 材料，例如GaN 和 SiC，開關(guān)速度比 Si
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英飛凌將投資逾20億歐元擴大寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)能

  • 英飛凌將顯著擴大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導(dǎo)體的產(chǎn)能，進一步鞏固和增強其在功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。公司將斥資逾20億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區(qū)。建成之后，新廠區(qū)將用于生產(chǎn)碳化硅和氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，每年可為英飛凌創(chuàng)造20億歐元的收入。      此次擴建是英飛凌根據(jù)公司半導(dǎo)體生產(chǎn)制造長期戰(zhàn)略而做出的決策，居林工廠在200毫米晶圓生產(chǎn)方面所取得的規(guī)模經(jīng)濟效應(yīng)為該項目打下了良好的基礎(chǔ)。英飛凌位于菲拉赫和德累斯頓的300毫米晶圓廠奠定了公司在半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)
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英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項目完成主體施工

  • 據(jù)看看新聞網(wǎng)報道，目前，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司項目主體施工已經(jīng)完成。資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，占地368.6畝，主要建設(shè)從器件設(shè)計，驅(qū)動IC設(shè)計開發(fā)，材料制造，器件制備，后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶半導(dǎo)體器件制造平臺。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺。據(jù)規(guī)劃，項目開工后兩年內(nèi)投產(chǎn)，投產(chǎn)后三年實現(xiàn)年產(chǎn)78萬片功率控制電路及半導(dǎo)體電力電子器件的總目標，年銷售收入約
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從1998年至2018年寬禁帶半導(dǎo)體材料研究報告

  • 　　寬禁帶半導(dǎo)體材料也被稱為第三代半導(dǎo)體材料(一代和二代分別為硅、鍺)，其帶隙大于或等于2.3 eV。寬禁帶半導(dǎo)體材料一般具有電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導(dǎo)電性能好等特點，受到了研究者廣泛研究。傳統(tǒng)的寬禁帶半導(dǎo)體有SiC、GaN、ZnO和Ga2O3等，以及其他II-VI組化合物材料。這類寬禁帶材料具有短波吸收、高擊穿電壓等特點，因此在發(fā)光二極管(LEDs)與激光二極管(LDs)領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用前景。此外，隨著近些年太陽能電池(SCs)的迅猛發(fā)展，寬禁帶半導(dǎo)體材料開始在太陽能電池領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。比如
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第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用、市場全解析

  • 第一代半導(dǎo)體材料是元素半導(dǎo)體的天下，第一代半導(dǎo)體材料是化合物半導(dǎo)體材料，然而隨著半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴大，特別是特殊場合要求半導(dǎo)體能夠在高溫、強輻射、大功率等環(huán)境下依然堅挺，第一、二代半導(dǎo)體材料便無能為力，于是賦予使命的第三代半導(dǎo)體材料——寬禁帶半導(dǎo)體材料誕生了。
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相控陣雷達性能的基石：寬禁帶半導(dǎo)體

  • 　　現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)是半導(dǎo)體器件，因此半導(dǎo)體器件的性能就決定了整個電子產(chǎn)品的性能，所謂半導(dǎo)體就是導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物理器件。最開始時，人們對這些物質(zhì)并不感興趣，后來才發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體的獨特性能，有導(dǎo)體和絕緣體不可替代的優(yōu)勢。最常見的半導(dǎo)體器件是二極管，其他所有的半導(dǎo)體器件都是建立在此基礎(chǔ)之上的。　　原子結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體器件　　導(dǎo)體之所以導(dǎo)電是因為其內(nèi)部有容易活動的自由電子，自由電子在電場的作用下開始運動，這個運動就是電流。物質(zhì)都是由原子組成，每個原子都由原子核和繞在其外面的軌道的自由電子組成，一般從外
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電子行業(yè):寬禁帶半導(dǎo)體即將形成板塊效應(yīng)

  • 　　報告起因 　　國內(nèi)上市公司紛紛涉足寬禁帶半導(dǎo)體,我們從三大維度看好:實現(xiàn)國家戰(zhàn)略層面的彎道超車:半導(dǎo)體行業(yè)實現(xiàn)技術(shù)升級以及股票層面將形成板塊效應(yīng),我們此前的三安光電報告是市場第一篇詳細描述化合物半導(dǎo)體的深度報告。此行業(yè)報告也是市場上領(lǐng)先的深度梳理寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的報告。 　　核心觀點 　　寬禁帶半導(dǎo)體材料性能突出,有望替代Si 基半導(dǎo)體:電和光的轉(zhuǎn)化性能突出,在微波信號傳輸方面的效率更高,可被廣泛應(yīng)用到照明、顯示、通訊等各個領(lǐng)域。 　　碳化硅將在功率器件領(lǐng)域快速發(fā)展,市場空間上百億美元:1)S
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寬禁帶半導(dǎo)體介紹

固體中電子的能量具有不連續(xù)的量值，電子都分布在一些相互之間不連續(xù)的能帶上。價電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶或帶隙。所以禁帶的寬度實際上反映了被束縛的價電子要成為自由電子所必須額外獲得的能量。硅的禁帶寬度為1.12電子伏特(eV)，而寬禁帶半導(dǎo)體材料是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導(dǎo)體材料，典型的是碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等材料。寬禁帶半導(dǎo)體材料是被稱為第三代半 [ 查看詳細 ]

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