電子行業(yè):寬禁帶半導(dǎo)體即將形成板塊效應(yīng)

　　報(bào)告起因

　　國內(nèi)上市公司紛紛涉足寬禁帶半導(dǎo)體,我們從三大維度看好:實(shí)現(xiàn)國家戰(zhàn)略層面的彎道超車:半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)技術(shù)升級以及股票層面將形成板塊效應(yīng),我們此前的三安光電報(bào)告是市場第一篇詳細(xì)描述化合物半導(dǎo)體的深度報(bào)告。此行業(yè)報(bào)告也是市場上領(lǐng)先的深度梳理寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的報(bào)告。

　　核心觀點(diǎn)

　　寬禁帶半導(dǎo)體材料性能突出,有望替代Si 基半導(dǎo)體:電和光的轉(zhuǎn)化性能突出,在微波信號傳輸方面的效率更高,可被廣泛應(yīng)用到照明、顯示、通訊等各個(gè)領(lǐng)域。

　　碳化硅將在功率器件領(lǐng)域快速發(fā)展,市場空間上百億美元:1)SiC 器件將在功率器件領(lǐng)域快速發(fā)展:具有小型化、能量損耗低,使用效率高,抗輻射、抗干擾、高可靠等性能。全球功率器件市場空間近120億美元,且到2020年CAGR 達(dá)65%。2)SiC 功率器件應(yīng)用廣泛:可廣泛應(yīng)用于汽車、機(jī)車以及工業(yè)領(lǐng)域中的PFC(功率因數(shù)校正器)、電源單元、UPS(不間斷電源)、DC/DC(直流轉(zhuǎn)直流)轉(zhuǎn)換器和逆變器等器件。SiC 材料的功率器件有望替代Si IGBT,主要增長驅(qū)動(dòng)力是EV/HEV 汽車。3)成本的下降將帶動(dòng)行業(yè)的發(fā)展,市場空間有數(shù)十倍增長:到2020年SiC 器件價(jià)格將下降50%,預(yù)計(jì)SiC 功率元件銷售額將從2013年的0.8億美元大幅增加到2020年的8億美元,且光伏和新能源車逆變器將占主導(dǎo)地位,進(jìn)一步縮減系統(tǒng)體積與重量。4)外企在SiC 領(lǐng)域占主導(dǎo)地位,但中國環(huán)境逐漸培育成熟:Cree 占SiC晶圓制造市場90%以上,Cree 和英飛凌在SiC功率器件市場合計(jì)占85%以上份額,中國雖然當(dāng)前在SiC 領(lǐng)域市占率低,但SiC 的各環(huán)節(jié)已逐漸培育起來,隨著環(huán)境的成熟,有望實(shí)現(xiàn)較好發(fā)展。

　　GaN 是微波放大和電能轉(zhuǎn)換領(lǐng)域理想的材料,潛在市場規(guī)模大于150億美元:1)可用于軍工雷達(dá)、探測器等,消費(fèi)電子PA,通信的基站建設(shè),汽車功率半導(dǎo)體,以及工業(yè)、太陽能發(fā)電、風(fēng)電領(lǐng)域的控制器、逆變器等。2)隨著4G 網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展,對高功率晶體管和基站的需求預(yù)計(jì)將增加,因此,通訊設(shè)備行業(yè)對氮化鎵功率半導(dǎo)體的需求將以最快的速率增長。3)考慮GaAs(第二代半導(dǎo)體)、GaN 在內(nèi)的化合物半導(dǎo)體,由于化合物半導(dǎo)體研發(fā)起步晚、生產(chǎn)技術(shù)難度大,目前國內(nèi)較少有企業(yè)能夠掌握生產(chǎn)技術(shù),主要由美國、臺灣等公司主導(dǎo),并限制向中國的技術(shù)輸出。4)高門檻和較為溫和的競爭狀況帶來較高的毛利率水平,Cree 化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品毛利率在50%以上。

　　投資建議與投資標(biāo)的

　　我們看好寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的投資機(jī)會,其中揚(yáng)杰科技(300373,未評級)是進(jìn)軍SiC 市場新星,彈性大;三安光電(600703,買入)是GaAs 和GaN 半導(dǎo)體領(lǐng)頭軍,當(dāng)前估值安全;南大光電(300346,未評級)是特種氣體平臺,稀缺性強(qiáng),也建議關(guān)注海特高新(002023,未評級)。

　　風(fēng)險(xiǎn)提示

　　寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展低于預(yù)期;上市公司相關(guān)業(yè)務(wù)發(fā)展低于預(yù)期。